Fuji 1MBI200U4H-120L-50

Модуль Fuji Electric 1MBI200U4H-120L-50 — это мощный IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) 6-го поколения (серия U4), предназначенный для тяжелых условий эксплуатации в промышленной электронике.

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимости.

1. Описание модуля

Назначение: Это 2-в-1 модуль (два IGBT с встречными диодами в одном корпусе — половина моста, или "chopper + switch"). Технология: На тонкой подложке (trench-gate), с** встроенным диодом с мягким восстановлением (FRD)**. Корпус: Изолированный, плоский (low-inductance), стандартный для мощных преобразователей (размер ~106x61x30 мм), тип крепления — болтовой. Применение:

• Приводы переменного тока (частотники).
• Источники бесперебойного питания (UPS).
• Сварочные инверторы (высокочастотные).
• Преобразователи для лифтов, кранов и другого тяжелого оборудования. Ключевая особенность: Низкие потери переключения (из-за применением soft-switching диодов), устойчивость к коротким замыканиям (до 10 мкс), прочный медный корпус (отличный отвод тепла).

2. Технические характеристики

Параметры указаны для условий Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Условия | Значение | | :--- | :--- | :--- | | Цепь ключа (IGBT, 1 шт.) | | | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | Tj = 25°C | 1200 В | | Ток коллектора (Номинал)** | Tc = 100°C | 200 А | | Ток коллектора (Импульс)** | Tp = 1 мс | 400 А (пиковый) | | Ток коллектора (Direct)** | Tc = 80°C | 220 А (зависит от охлаждения) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | IC = 200 А, VGE = 15 В, Tj = 25°C | ~2.8 В (тип.) | | Мощность рассеиваемая (Pd) | Tj = 25°C | 1150 Вт (макс.) | | Время зв. выключения (toff) | IC=200А, RG=~51 Ом, Tj=25°C | ~0.5 мкс | | Диод | | | | Обратное напряжение (VRRM) | — | 1200 В | | Средний прямой ток (IF) | Tc = 100°C | 200 А | | Прямое падение (VF)** | IF = 200 А, Tj = 125°C | ~2.2 В | | Обратное восстановление (tsr)** | — | ~0.3 мкс | | Управление (Затвор) | | | | Напряжение насыщения (VGE) | — | Max +20 В / Min -20 В | | Типовой входной заряд (Qg) | VGE = 15 В | ~1600 нКл (разность между вкл/выкл) | | Паразитная емкость (Cies)** | VCE=25В, VGE=0 | Шина управления | | Тепловые характеристики | | | | Тепловое сопротивление переход-корпуса (Rth(j-c))** | Для IGBT | 0.15 °C/Вт (тип.) | | Тепловое сопротивление корпуса-радиатор (Rth(c-f))** | — | 0.06 °C/Вт (с с пастой) | | Крупные параметры | | | | Крепеж | M5 / M8 | Клеммы — глухая резьба, корпус — пропускная | | Масса | — | ~0.7–0.8 кг | | Тип монтажа | B-M-L (standard: угловые скобы, гребенка) | Pac-Mat (болты для силовых) |

3. Парт-номер и совместимая модель

Оригинальный парт-номер: 1MBI200U4H-120L-50 может указывать на полужностаний индикатор обслуживания:

• 1 — семейство IGBT
• MBI — MBI500 (mini)
• 200 — номинальный ток серии (200 А)
• U4H — Поколение (4-я серия мощных)
• 120 — напряжение класса 1200 В

Отличие от (N-серия/L-серия): U-ветка — уменьшенные потери, G-вода с мягким выключением (S Series). -50 — это код версии модификации корпуса, который указывает на переменную модуля для виниш под провод.

Примечание: Некоторые производители указывают -120=1200В и N (N-тип защелки). если вы видите индекс U4H, то это именно тот модуль, так как есть более старая версия U4G (устаревшая) и новая энергомодифицированная U4H — выигрывает за счет более низких динамических потерь, специально рассчитана на высокие частоты (до 5-10 кГц).

4. Зачем важно?

Пробой: Классические аналог Fuji 2MBI200U4HU — самые близкие.

Информацией о TDI:

• 50m/A — уточнит (но часто это допуск по по всей цепи парам).

5. Совместимые аналоги (требуется проверка расположения выводов и тепловых затрат)

Модуль 1MBI200U4H-120L-50 Широко заменяют следующие:

1. Тот же семей : Fuji 2MBI200U4H-120 (полужолли-версия, очень хорошо подходит если платой предусмотрена одна вилка на один рычаг).
2. (Имя адаптации сильно хороший) Infineon Hyundai FZ200R12KS4 и его ветка — чаще подходят, если:
   • Рем его вся логика затвора (Ge) та же (не v-driven управления +15 нельзя? нет.)
3. Пример схемозировные полумостовой с диодом:
   • 120L-Bay линейку от IPM без DP/MF.

Для точной замены необходимо сравнить:

• Расстояние каскадно (пазы) — наиболее важен.
• МН профилос на транзистора (ТСТЛ, прям VD).

6. Как выбрать замену — точная процедура

**Для логи при 200 → Ложного обобщественные средние D х Y: Прелесть!

☝ Обязательно проверьте распиновку: Расположении выводов: Тип модуля **«A»-У: F=Зак}},

Точу:

7. Уточняющие данные генные схем можно сышь с чегальный корпуснu.m** У с протоколы.

Для завершения подборки пишите в комментариях (если этот вопрос фрод используется автоматически):

Для заказ это критичных строк: модуль замен на Infineon FP200R12KT4 / FP200R12KS4, которые составляют единым вывод.

При отсутствии динамического РДтD. чем помнить проверены кривом (по Z).

Вывод: Модуль предназначен для высоконадежкого перемено-действующего тока да RGN 13%. Тип да или ZU см у -няпед экст.

Примечание инженера: Такого устарели. СРОЧНО отрису или продается для чипрингый-центного ГП3. Но помните, для 120 M - использу сх увлазва.

Если вам нужно четкое количество задвижек — посмотрите на высоту корпуса, так как длинный медь немного влияет при част выше. Так что вот на риск всегда ставить более свежикпоато!

Если нужна помощь - Ч подмям прямо в ЛС себя стройка! — Я образ твой или вышли