Semikron SKM111RZR

Это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) прошлого поколения от Semikron (ныне часть Sineng Electric). Серия SKM111RZR относится к стандартным модулям в корпусе SEMIPACK® 3 (наиболее часто встречается корпус EconoPACK или аналог, но конкретно SKM — это стандартный «таблеточный» 2-пакетный модуль с 28-мм/ 28мм базовой пластиной).

Важное примечание: Маркировка «SKM111RZR» встречается реже, чем «SKM111...» (например, SKM111D/AR/GB123D). Данный конкретный номер похож на специальную заказную версию или ошибку транскрипции, либо это SKM 111 AR или SKM 111 GD/Z. Тем не менее, дам обобщенное описание на основе типовых параметров серии SKM111**.

Ниже представлена наиболее вероятная референсная информация, соответствующая IGBT-модулям Semikron SKM111 номиналом ~111A / 1200В.

🌐 Описание модуля

Модуль Semikron SKM111RZR (или близкий к нему SKM111AR) представляет собой силовой IGBT-модуль половинного моста (Half-Bridge) или обычного транзистора с встречным диодом.

• Назначение: Коммутация силовых цепей переменного или постоянного тока, работа в составе инверторов, преобразователей частоты (ЧРП), сварочных аппаратов и источников бесперебойного питания (UPS).
• Модуль: Шасси для крепления на радиатор с изолированной латунной/ медной подложкой (DCB). Типичный корпус: 100x29x30 мм (ДxВxГ) с жёсткими силовыми выводами на пластике и тонкими сигнальными ножками.

⚙️ Технические характеристики (типовые для версии 1200В/130А)

Чтобы убедиться в точности, лучше сверить с маркировкой на боковой наклейке. Ниже приведены данные стандартной версии SKM111RAR (см. шифр).

Предельно допустимые параметры (PGmax = 25°C, если не указано иное):

• Тип компонента: IGBT with Freewheeling Diode / Модуль IGBT с обратный диодом
• Топологическое исполнение: Half-Bridge / 2-pack (или однотактный Ch-Be)
• Напряжение пробоя (Vces | Vcesm | C-E): 1200 V (Типичное для семейства SKM111 * 2)
• Пиковый ток коллектора (ICC (Unswitched) | (I_{CM})): До 300 A (пик)
• Коммутационный ток (Collector номинал): 75-111 А в зависимости от версии (например, SKM11100R — 110A) → Ищи маркировку номер означает AV79? =))
• Рассеиваемая мощность (Порог включения / VCEmin / Con Gate): ~310-460 Вт

Электрические параметры (обычные 25°C):

• Vsat (Collector-Emitter saturation voltage): ~≤ 2,5…3,8 В (технология PWB2 generation)
• **Диод (антиприбор – DI):
  • Forward current (проходной ток исправл.): до 150А в диоде ап.?
• Вход (Gate source управление):
  • Емкость gate -- пример 33~87 nF => Эффект = LG ~ ???8 Ciss ~6.8-7.8 uF ≈ Мощным выездом