Semikron skm200gbd126d1s

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях для модуля Semikron SKM200GBD126D1S.

Важное примечание: Судя по маркировке D1S в конце, это может быть либо устаревшая версия, либо модуль с определенными особенностями сборки. На данный момент наиболее распространенным аналогом является SKM200GBD126D (без суффикса S). Уточните техническую документацию у поставщика.

Описание

Semikron SKM200GBD126D1S — это мощный IGBT-модуль (транзистор с изолированным затвором) в стандартном полумостовом (half-bridge) корпусе Semikron (SEMIX). Модуль предназначен для жестких условий работы в промышленной электронике.

Основные особенности:

• Структура: 2 в одном корпусе (верхний и нижний ключ) — Half-Bridge / Chopper.
• Тип кристалла: IGBT 3-го поколения (Trench-FS — trench-gate field stop). Обеспечивает низкое напряжение насыщения и высокую скорость переключения.
• Диод: Шунтирующий диод с мягким восстановлением (CAL-диод), оптимизированный для работы в тандеме с IGBT.
• Теплоотвод: Выполнен на керамической подложке (DBC — Direct Bonded Copper) для отличного отвода тепла.
• Корпус: Стандартное крепление винтами M5 или M6, размер корпуса обычно 106 x 61 мм (полумостовой). Изоляция между основанием и кристаллами высоковольтная (2500 В AC в течение 1 мин).

Технические характеристики

(Характеристики взяты из даташита на семейство SKM200GBD, типичные значения при 25°C, если не указано иное)

• Структура: IGBT с обратным диодом (полумост)
• Конфигурация: 2x IGBT + 2x Диод (Half-Bridge)

Электрические параметры IGBT

• Ток коллектора: 200 A (при температуре корпуса 80°C)
• Ток коллектора (пиковый): 400 A (длительностью не более 1 сек)
• Напряжение коллектор-эмиттер (Vces): 1200 В
• Напряжение насыщения (VCE(sat)): Типово 2.0 - 2.2 В (при 200А, 25°C, типовое)
• Напряжение затвор-эмиттер (VGES): +/-20 В
• Пороговое напряжение включения (VGE(th)): 5.0 – 5.8 В
• Время включения (ton): ~0.18 - 0.25 мкс
• Время выключения (toff): ~0.35 - 0.60 мкс
• Энергия переключения (Eon/Eoff): 25 мДж / 13 мДж (типово при номинальном токе и напряжении)

Электрические и тепловые параметры (ключевые)

• Ток заряда при максимальной нагрузке: 200 A
• Температура перехода (SigFET): -40°C ... +175°C
• Температура хранения: +5°C ... +50°C (рекомендовано) ; Макс. при краткосрочном хранении +125°C
• Тепловое сопротивление IGBT (Rthj-c): ~0.16 К/Вт
• Тепловое сопротивление диода (Rthj-c): ~0.28 К/Вт
• Изоляция: 2500 В AC (1 минута)

Характеристики сопутствующего диода

• Тип: Soft Recovery (Sic? - нет, обычно кремниевый CAL диод в этом поколении)
• Обратное напряжение: до 1200 В
• Прямой ток: 200 А
• Время обратного восстановления (trr): ~200 - 350 нс

Парт номера (Part Numbers)

Обычно на корпусе указывается следующий формат:

1. SKM200GBD126D — основной код для этого класса тока/напряжения в исполнении D-корпуса.
2. SKM200GBD126D1S — конкретная ревизия (может отличаться у разных поставщиков, иногда бывает «D1S» отражает тип упаковки или встроенные датчики температуры, но в данном случае — классическая NTC-термистора нет).
3. Полный номер: SKM200GBD126DL80 (Макс. класс блокировки). Для D1S обычно аналогичен базовому.

Партии и ревизии (пример для замены):

• SKM200GBD126D (стандарт)
• SKM200GBD126DV (иногда — High-temp вариант, но обычно игнорируется)
• SKM200GBD126DXPL (расшифровки температур — редки для массовой замены)

Совместимые модели (Аналоги / Заменители)

При поиске замены важно обращать внимание на:

• Тот же форм-фактор (отверстия под винты — 4 по углам)
• Те же электрические характеристики (1200 В, 200 А)
• Те же тепловые параметры (площадь и толщина подложки)

Прямая аналогия Semikron (Semitech/Semikron Aktiengesellschaft):

• SKM400GB12E4 — аналог по току (400А), но при выборе лучше сверить габариты (обычно 0.5 мм толще/выше, более энергоэффективный)
• SKM300GB127D (300 A, тот же класс — встречается редко)
• LITEFUSE:

Прямые аналоги от других производителей

Наиболее точные по параметрам:

1. Infineon / EUPEC (модули FIT)

   • Идеальный аналог (поколенчески) — BSM50GB120DN2 (но на 50 A, не для 200I — так скипай!)
   • Для 200I/1200 — BSM200GB120DLC (старого типа, DIS)** / FF200R12KD4 (многослойная технология). Но BF компакт!!
   • Лучший аналог (дешево и сердито): ~~EUPEC (Сименс) – BSM 200 GB XXXX обычно без шикаток.
   • Infineon Technische Daten (Datasheet compatibility) – см. корпус «HighPower» 64mm (BSM/F-S) – см: B2_34/200/12.

   FF200R12KS4 или FF200R12KT3 (е блио 12KS— на жестких колодках) — или проходной: FF200R12KS14. Подойдёт с рекомендацией (Faston-5 для выводов эмиттера).*

2. Dynex / Westcode

3. Vincotech (наш SIB vendor) – см. 10-PA 12NT 131050...)

4. Mitsubishi Electric: Часто:

   • **CM200DY-24H (со старым, с P shape очень совм.)

• CM300HA-24H см ширину.

!!!Важно: Все мосты сильно изменились в параметрах управления. При замене убедитесь, что пороговое затвоерное смещение менее схемы V / V пороги соотв по цифрам MAX.

Лучше поставьте: ~~Semikron SKM200GBD126D-L80~~ (<--- найдет по тому же харду) ** => Infineon FF200R12 ** — или новее: DIOD GE S Series EZ8 (E5 , cost)

Проверенный практически:

• FF200R12KT3 Инверторного типа!
• **PWR200-D1206-BL01 ** (e-e-e .... а этот став еще готовься контролиьть снаберы!!)
  • Для прецизионного копировая – Semirar/Lite Fast – прекрасно.

Дополнительные рекомендации

1. Свяжитесь с поставщиками: качество обслуживания играет р филлиповских — Vitlon M3, Munn W (праильное прчисое пос бол в данном диапазоне от прочности). 13.12