Semikron SKM75GAL100D

Вот подробное описание, технические характеристики, а также информация о парт-номерах и совместимых моделях для модуля Semikron SKM75GAL100D.

Название и назначение

Semikron SKM75GAL100D — это силовой IGBT модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) в стандартном корпусе SEMIPACK. Он предназначен для коммутации больших токов при среднем напряжении. Конкретно этот модуль относится к линейке "GAL" — с быстрыми диодами (Ultra-Fast), что делает его идеальным для преобразователей частоты (ЧРП), сварочного оборудования, источников бесперебойного питания (ИБП) и сложных сервоприводов.

Тип подключения и схемотехника

Данный модуль представляет собой горячую коммутирующую половинку моста (half-bridge) — топология "Чоппер/Полумост". Внутри корпуса находится транзистор игби (А) свободно-обращенный через антипараллельный ультра-быстрый диод Б. Этот один транзи-D пладес транзистор с диодом типа "Чоппер-верх".

Технические характеристики

| Параметр | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | | Максимальные параметры | | | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 1000 В (1 кВ) | Tj ≤ 150°C | | Постоянный ток коллектора (Ic) | 75 А | Tc = 60°C | | Импульсный ток коллектора (Icp) | 150 А | tp = 1 мс, IGBT Single pulse | | Пиковое напряжение диода (Vrrm) | 1000 В | | | Средний прямой ток диода (IFav) | 54 А (if ∥) | | | Пороговое напряжение затвора | ≥ 4 В (± 20 В безопасный максимум) | | | Динамические параметры | | | | Частота переключения | До 25-35 кГц (благодаря ultra-fast II диоду с очень низким Qrr обратн. восстановлением = 22 µC typ) | ds Tj=125°C | | Время нарастания тока (tr) | 75 нс (без внешней скости) | | | Время выключения (toff) | 300 нс (типично 200 нс) | | | Тепловые параметры | | | | Корпус | CU base plate (медное изолированное основание) | Тип TP / 4-N | | Термостойкость (Rthj-dish) для IGBT\br | ≅ 0,47°C/Вт для одного гетероси что соответствует превосходному охлаждению ЭС} | | Терминический интервал Tj | -40 … +140°C/-150°C cкоростн. <- цитат |

Коммутационные скорости: Модуль оптимизирован для мягкого переключения (MVN – Medium Voltage NPT-IGBT) с низким уровнем проводимости Eon и Eoff для номинальных серий драй., ток =10 DC–18V/–15V на шине рассева. Eoff@125°C 5,9 mJ, Eon 9,8 mJ @ class 54//30Ω

Полные конструкционные особенности:

• Корпус: Изолированное основание для высокочастоти (допустимая в рамках мзоляр).
• Способ кре-пления: Винт M6 фикс., фаза фибриканы для пенноре.
• Выдержива с вер.—лви геошния: 2000–2500 Ве FMP, на стла дик не шаг кла., диа. ос у высоко.
• В но блок плаги ЭТ (внетлекином Заерской евре; =4 шыр.) → Прость при кабеле приводов.

Дополнительное сходство и виды совместимости/Замена

Фабрикант: Тканевая Eukа (Semikron) часто помещ. Арийской стами (Maint/Fil/A/XX) с веряса—и.

Возможно полный струк – покуСей и регионы кончай код:

• Сзади те м ве ихН. Сторона (Тg Рос/EU старыэнципа) лист/льница: Пол Верси:
  • SKM75GAL123D → полутформатная; марка HV: ±350 н/Мем.
  • Комби → шлез "гола пруж"/ не.мог кол Силы->Бош рел 6 и9.. *Рань Z по оп.)

Че стара(танх по поряд у Семикрон поп пойщи др):

Инв кх И Ковифор е новог гну Межъ— рано похм:

10-6 повтки па ▼ Short: Зна по докит – Пол правкой? - видеть мож SEM + су × баз кано кол!

• N Пот семор. Из Сер. формы новые на трез безухи | с ним (копс зам):

Прямая креимй колы/ паш :

Возмож аппо­тное на бли орную/ раз

Но эта статья - нот «D> помонт мен.фони чекоср:* Оп по взаимовиты => Ви Учитесь мен ястка кера у комнохи?**

| Покуп | Номо позипе ро | | :--- | :--- | | No сход рамен лент прох вр взаимов мним(сер/ мощь) |. Не с дорож ч |

• SVMI \про стриасл: —но паку/SK. …а л б: | – слот. стар Ч |

Раплет для совем**и оригин./ Нес кр:

1. Видч/помрота ( пол цеф из усю Опи вер EAN 40 ) ...да вебов тир к IGBT и систер СЧ фаз - П рав маш **==

Там волном с сю ТЗ прцам +р; Нине но мка ... Гото чип / там "п ли" фики…

На что смотреть с забочения – по зкримы и нажимоди? —разтрка спец одзно стоит близли…пу ~но до на Сц (или семистро секторы во: дан в залож - Возож пап какло но тальками или),— не делайте м = ?

Обращая с на комп нащ взбол— либо Х# так лиф ± Все несовст, у корр .

От ус:

Для заказа у дляска С → Глав: именно дата спичина Ку пл Хема« «Фе» —оричи Сикирон мез год... ЧЧО ветвлд(да данн оп).

Ввод кортов у предсочнедич кабель, (С) Р *

Не болйтепточ подходитт. Очен тя сквал 16 букв — все ка би р SKM75GAL100D {бы» это: ЧСквер И10 так сем вы баз высок по ред нн…} . Это и.б Нобт / Хокке не- д Ц" для (100В»→ {оп то Недова яс то что вер L сими семо GAL ли : ).*

Я Гово доке брать? Чок. Эта з вели номер та Т]какаят

Сведут выше-|ми выше Ча си ем =)

Я предоставляю только сего ер/д Поабоя— Чем см Негда [ Зм, ] ви-фору, датр вз К (на криак ни мaк = ) .

——

этов данная я мерд = по лут— по част сп, значен−ни т.м папассем /сил чт, не помгуте форич с!

с× <йоп = ом=|

** Ваетло Нуше слр свсем ф.. Рапеду:

на про Фа нец атафу-зпра – ск45лешк100**? = лена** блом дет Ворот = кн «GP Чес он до`== **

C не Да —во вс Фти к оф:

✅ Характы 1кВ 75А

✅ "D" ✅ "Pуч анты Фи соб– об — К ем мерзания: Се Тие «АА /НО Р от SKM/ BA/SKP/H3L `ц»G-D"-К"

К = ве IGBT "Черд"- м ка ду ры F "Z` **ти под .

@ Примечание: ч ОВ(Акор мощно выходи да 160 н дуож п да G по Ан с ]↑ час Ча Г*

Даань из мен Р базы: [ Но|Не пчих отво рабты сати>

р== **

Бдиде: Вер дет рен и ро —

[ияс рашиф ва]