Intersil HUF75339P3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET-транзистора Intersil HUF75339P3.

Описание

Intersil HUF75339P3 — это N-канальный мощный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET. Он разработан для применения в схемах переключения и управления высокой мощностью, где критически важны низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) и высокая эффективность.

Ключевые особенности и применение:

• Высокая эффективность: Очень низкое сопротивление RDS(on) (всего 9.0 мОм при VGS = 10 В) минимизирует потери мощности и нагрев в открытом состоянии.
• Быстрое переключение: Подходит для импульсных схем с высокой частотой (например, ШИМ-контроллеры).
• Основные сферы применения:
  • Силовая электроника: Вторичные стороны импульсных блоков питания (SMPS), DC-DC преобразователи.
  • Управление двигателями: Моторные драйверы в автомобильной электронике, промышленных приводах, компьютерных кулерах.
  • Схемы управления нагрузкой: Силовые ключи для управления лампами, соленоидами, реле.
  • Синхронное выпрямение в источниках питания.

Корпус: Выполнен в популярном и технологичном корпусе TO-220AB, который обеспечивает хороший баланс между мощностью рассеяния и удобством монтажа (возможность установки на радиатор).

Технические характеристики (основные)

Приведены типовые/максимальные значения при Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | N-канальный, Enhancement Mode | MOSFET | | Корпус | — | TO-220AB | Пластиковый, с металлической площадкой | | Напряжение "Сток-Исток" | VDS | 55 В | Максимальное рабочее напряжение | | Ток стока (непрерывный) | ID | 75 А | При Tc = 25°C | | Ток стока (импульсный) | IDM | 300 А | — | | Сопротивление "Сток-Исток" | RDS(on) | 9.0 мОм (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 40 А | | | | 13.0 мОм (макс.) | При VGS = 4.5 В, ID = 40 А | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 1.0 - 2.0 В | Типовой диапазон | | Напряжение "Затвор-Исток" | VGS | ±20 В | Максимальное (не превышать!) | | Общий заряд затвора | Qg | 65 нКл (тип.) | При VDS = 44 В, ID = 75 А | | Время нарастания / спада | tr / tf | 22 нс / 12 нс (тип.) | Характеризует скорость переключения | | Диод обратного восстановления | Qrr | 170 нКл (тип.) | Заряд обратного восстановления внутреннего диода | | Мощность рассеяния | PD | 125 Вт | При Tc = 25°C (с радиатором) | | Температура перехода | Tj | -55 до +175 °C | Рабочий диапазон |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Обратите внимание, что компания Intersil была приобретена Renesas Electronics. Поэтому этот компонент теперь часто относится к портфолио Renesas.

Прямые аналоги (полные замены)

Эти модели имеют идентичные или практически неотличимые электрические характеристики, распиновку и корпус:

• Renesas HUF75339P3 (прямое продолжение производства после покупки Intersil)
• IRF3205 — один из самых популярных и доступных аналогов, имеет схожие ключевые параметры (55В, 110А, 8.0 мОм). Часто используется как взаимозаменяемый в многих схемах.
• IRFZ44N — более старый и распространенный аналог, но с чуть худшими характеристиками (55В, 49А, 22 мОм). Подходит для менее требовательных задач.
• STP75NF55 (STMicroelectronics) — 55В, 80А, 9.5 мОм.
• FDP7030L (Fairchild/ON Semi) — 60В, 80А, 8.5 мОм.
• IPP075N15N5 (Infineon) — 150В, 75А, 7.5 мОм (рассматривать при запасе по напряжению).

Совместимые / близкие по параметрам модели (для замены в схемах)

При подборе замены обязательно проверяйте распиновку (pinout) и характеристики, особенно VGS(th), Qg и RDS(on) при вашем рабочем напряжении затвора.

• HUF75345P3 — аналог от того же производителя, обычно с очень близкими параметрами.
• IRF1405 (55В, 169А, 5.3 мОм) — более мощный, может потребовать проверки стабильности управления.
• AOT430 (Alpha & Omega) — 60В, 80А, 6.5 мОм.
• NTP75N055 (ON Semiconductor) — 55В, 80А, 9.5 мОм.

Важные замечания при замене:

1. Напряжение затвора (VGS): Убедитесь, что драйвер вашей схемы обеспечивает достаточное напряжение для полного открытия заменяемого транзистора (оптимально 10В).
2. Скорость переключения (Qg, tr/tf): Если схема высокочастотная, большой заряд затвора (Qg) аналога может перегрузить драйвер.
3. Корпус и монтаж: Аналог должен иметь тот же корпус (TO-220AB) и расположение выводов (Gate-Drain-Source).
4. Встроенный диод: Наличие и характеристики внутреннего диода сток-исток критичны для индуктивных нагрузок.

Рекомендация: Всегда сверяйтесь с официальными даташитами (datasheet) как оригинальной детали, так и предполагаемого аналога перед заменой в критичных узлах.