Intersil HUF75645P3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Intersil HUF75645P3.

Общее описание

Intersil HUF75645P3 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET. Он принадлежит к семейству силовых полевых транзисторов, оптимизированных для высокоэффективного переключения в низковольтных цепях. Ключевая особенность этой модели — очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): особенно в синхронных выпрямителях на стороне низкого напряжения (Low-Side).
• Цепи управления питанием (Power Management) на материнских платах, видеокартах, серверном оборудовании.
• DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
• Моторные драйверы и схемы управления нагрузкой.

Технические характеристики (Key Specifications)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | | Технология | TrenchFET, Gen V (или аналогичная) | Позволяет достичь низкого Rds(on) | | Схема выводов (Package) | TO-220 (P3) | Классический корпус для монтажа на радиатор | | Сток-Исток напряжение (Vds) | 60 В | Максимальное напряжение сток-исток | | Сток-Исток напряжение (Vgs) | ±20 В | Максимальное напряжение затвор-исток | | Постоянный ток стока (Id) при 25°C | 75 А | При идеальных условиях охлаждения | | Импульсный ток стока (Idm) | 300 А | Пиковый ток в импульсном режиме | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | < 4.5 мОм (миллиОм) | Тип. значение при Vgs=10V, Id=40A. Главное преимущество модели. | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Общий заряд затвора (Qg) | ~100 нКл (тип.) | Важный параметр для расчета драйвера затвора | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 200 Вт | При условии монтажа на идеальный радиатор (Tc=25°C) | | Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) | Параметры: Ifsm=300A, Vsd=1.3V (тип.) | | Температура перехода (Tj) | -55 до +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла |

Парт-номера и прямые аналоги (Direct Replacements)

Модель HUF75645P3 имеет несколько стандартных парт-номеров, обозначающих тот же самый кристалл в том же корпусе. Также важно учитывать, что Intersil (International Rectifier) была приобретена компанией Infineon Technologies. Поэтому современные аналоги теперь выпускаются под брендом Infineon.

Основные парт-номера:

• IRF75645PBF — самый распространенный и прямой аналог от International Rectifier/Infineon. Это полный аналог.
• HUF75645P3 — оригинальный номер, под которым также поставляется.
• Часто в спецификациях и на корпусе может указываться просто 75645.

Совместимые / Альтернативные модели (Close Substitutes)

При выборе замены необходимо сверять распиновку (pinout) и ключевые параметры: Vds, Id, Rds(on), Qg, корпус.

От Infineon / International Rectifier:

• IRF7416PBF (60V, 50A, Rds(on) ~6.5 мОм) — менее мощный, но часто используется в схожих слотах.
• IRF7413PBF (60V, 50A, Rds(on) ~7.0 мОм) — аналог IRF7416.
• IRF7821PbF (60V, 80A, Rds(on) ~3.6 мОм) — более мощный и современный аналог (DirectFET, но не TO-220).
• IRF3205PBF (55V, 110A, Rds(on) ~8.0 мОм) — классическая, более "грубая" и дешевая замена, но с худшими динамическими характеристиками (выше Rds(on) и Qg).

От других производителей (в корпусе TO-220):

• STP75NF75 (STMicroelectronics) — 75V, 80A, Rds(on) ~9.0 мОм.
• FDP7030BL (Fairchild/ON Semi) — 60V, 70A, Rds(on) ~6.0 мОм.
• NTMFS75N06 (ON Semiconductor) — 60V, 75A, Rds(on) ~4.8 мОм.

Важные замечания при замене:

1. Корпус TO-220 (P3): Убедитесь, что заменяемая деталь имеет такую же распиновку (G-D-S) и геометрию корпуса для монтажа на радиатор.
2. Rds(on): Чем ниже это значение, тем меньше нагрев. Замена на транзистор с более высоким Rds(on) потребует проверки теплового режима.
3. Заряд затвора (Qg): Если в схеме используется слабый драйвер, замена на транзистор с большим Qg может привести к его перегреву и ухудшению динамики переключения.
4. Встроенный диод: Наличие и скорость обратного диода (Body Diode) критичны в схемах синхронного выпрямления.
5. Производитель: Рекомендуется использовать аналоги от Infineon (бывш. IR), ON Semiconductor, STMicroelectronics, Toshiba для гарантии соответствия параметрам.

Вывод: Intersil (Infineon) HUF75645P3 / IRF75645PBF — это высококачественный, мощный N-канальный MOSFET с рекордно низким сопротивлением для своего времени, предназначенный для эффективной коммутации больших токов. При поиске замены IRF75645PBF является прямым и предпочтительным аналогом.