Intersil HUF76107P3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для MOSFET-транзистора Intersil HUF76107P3.

Описание

Intersil HUF76107P3 — это N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по передовой технологии TrenchFET®. Он предназначен для применения в силовых ключевых схемах, где требуются высокий КПД, низкое сопротивление в открытом состоянии и быстрая коммутация.

Основные области применения:

• Вторичные цепи питания материнских плат, видеокарт и серверов (цепи VRM для процессора, памяти, чипсета).
• DC-DC преобразователи (понижающие, повышающие).
• Управление двигателями (например, в системах охлаждения).
• Коммутация высоких токов в импульсных источниках питания.

Ключевые преимущества:

• Очень низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)), что минимизирует потери мощности и нагрев.
• Высокая энергоэффективность.
• Компактный и популярный корпус TO-220, удобный для монтажа на радиатор.
• Логический уровень управления (Logic Level) — для полного открытия достаточно напряжения на затворе 4.5В, что позволяет управлять напрямую от большинства современных ШИМ-контроллеров.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | Enhancement Mode (обогащения) | | Технология | TrenchFET® | | | Корпус | TO-220 (TO-220AB) | Пластиковый, с отверстием для крепления радиатора | | Структура | Одиночный транзистор | | | Полярность | N-канальный | |

| Предельные электрические параметры (Absolute Maximum Ratings) | | | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" (Vds) | 60 В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Напряжение "затвор-исток" (Vgs) | ±20 В | Максимальное напряжение на затворе относительно истока | | Постоянный ток стока (Id) | 42 А | При температуре корпуса 25°C | | Импульсный ток стока (Idm) | 150 А | | | Рассеиваемая мощность (Pd) | 45 Вт | При температуре корпуса 25°C (с радиатором) | | Температура перехода (Tj) | -55 до +175 °C | | | Температура хранения (Tstg) | -55 до +150 °C | |

| Электрические характеристики (Typical / Max) | | | :--- | :--- | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 7.0 мОм (макс.) | Ключевой параметр. При Vgs = 10 В, Id = 20 А | | | 9.5 мОм (макс.) | При Vgs = 4.5 В, Id = 20 А (логический уровень) | | Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) | 1.0 - 2.0 В | Минимальное напряжение для начала открытия | | Общий заряд затвора (Qg) | ~55 нКл | При Vds = 48 В, Id = 42 А. Влияет на скорость переключения. | | Время включения (td(on) + tr) | ~32 нс | | | Время выключения (td(off) + tf) | ~35 нс | |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

У одного и того же компонента могут быть разные маркировки в зависимости от производителя, партии или стандарта заказа.

• Основной парт-номер: HUF76107P3
• Полная маркировка на корпусе: Обычно наносится как HUF76107P3 и ниже — дата код (например, YWW).

Совместимые и аналогичные модели (Прямые и функциональные аналоги)

При поиске замены важно сверять распиновку (pinout), корпус и ключевые параметры (Vds, Id, Rds(on), Vgs(th), Qg).

Прямые/очень близкие аналоги (с параметрами "один в один" или лучше):

• International Rectifier (IR): IRF7416, IRF7413, IRL3705. (IR и Intersil часто выпускали взаимозаменяемые модели).
• Fairchild/ON Semiconductor: FDB7030L, FDB6670.
• Vishay/Siliconix: SUD50N06-09L, SUD50N06-10.
• Infineon: IPP060N06N.
• STMicroelectronics: STP60NF06.

Функциональные аналоги (могут иметь схожие или лучшие параметры, требуют проверки по даташиту):

• N-канальные MOSFET 60В, ~40-60А, логический уровень, TO-220:
  • IRFZ44N (более старый, обычно с чуть худшими параметрами Rds(on)).
  • IRF3205 (более популярный, 55В, 110А, но часто используется в схожих цепях).
  • FQP50N06 (50А, 60В).
  • RFP50N06.
  • Аналоги от производителей: Toshiba (KEC), NXP, MagnaChip.

Важное примечание по замене: При ремонте материнских плат и видеокарт критически важно проверять распиновку (pinout). Подавляющее большинство аналогов в корпусе TO-220 имеют стандартную распиновку (1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), но возможны исключения. Всегда сверяйтесь с даташитом перед установкой. Также для цепей VRM важна схожесть параметров Qg (заряд затвора) с соседними транзисторами в многофазных схемах.