Intersil X2210P10
тел. +7(499)347-04-82
Описание Intersil X2210P10
Вот подробное описание, технические характеристики, список парт-номеров и совместимых моделей для микросхемы Intersil X2210P10 (которая также известна как Xicor X2210, так как Intersil приобрела Xicor).
Это одна из первых коммерчески успешных микросхем NOVRAM (Non-Volatile SRAM), которая сочетала в себе статическую память (SRAM) и ЭСППЗУ (EEPROM) в одном корпусе.
1. Описание Intersil X2210P10
Intersil X2210P10 — это интегральная схема энергонезависимой статической памяти (NOVRAM) объемом 1024 бита (1 Кбит), организованная как 128 слов × 8 бит.
- Ключевая особенность: Она объединяет быстродействующую SRAM (Static RAM) и высоконадежный массив EEPROM (NoREP/Nonvolatile RAM) на одном кристалле.
- Принцип работы: Данные в SRAM хранятся оперативно и имеют высокую скорость доступа. В критический момент (например, при подаче специального сигнала или отключении питания) пользователь может выполнить команду STOREN (AT RECALL - Store/Recall) — данные из SRAM копируются в энергонезависимую EEPROM. При включении питания выполняется команда RECALL1 — данные из EEPROM автоматически восстанавливаются обратно в SRAM.
- Надежность: Это устройство разработано для приложений, где потеря данных при отключении питания недопустима. Используется фирменная технология QCell (EEPROM), которая гарантирует хранение данных не менее 100 лет.
Область применения (историческая): Системы промышленной автоматики, контроллеры (например, CNC станков), телекоммуникационное оборудование, черные ящики (авиация, автоспорт), серверы и onboard-настройки (оборудование Intersil/Folklore pro/старое лего контроллеров / цифровые потенциометры настройки режимов).
2. Технические характеристики
| Параметр | Значение | Примечания | | :--- | :--- | :--- | | Организация памяти | 128 слов x 8 бит | Логически адресуется как 128 байт. | | Тип технологии | NOVRAM (SRAM + EEPROM) | Классический I2C-или параллельный. Здесь параллельный интерфейс. | | Напряжение питания (Vcc) | 5 В ± 10% | Диапазон 4.5V — 5.5V. | | Ток потребления (активный) | < 140 мА | (*) Зависит от нагрузки, типовой ~120 мА. | | Ток потребления (хранение/сток) | < 5 мА | EEPROM не потребляет ток при хранении. | | Время доступа (SRAM) | 250–350 нс | Для версий -2,--25 или -20 (см. партионный код), для X2210P10 обычно 300–350 нс. | | Время записи EEPROM | < 10 мс (Store operation) | Все 128 байт копируется из SRAM в EEPROM за одну команду. | | Количество циклов записи EEPROM | ≥ 10,000 циклов | Нартижение хоп. — Classic. | | Сохранность данных | ≥ 100 лет | В EEPROM (в условиях DC‑схем хранения) | | Тип корпуса | P10 — Plastic Dual In-line Package, 16 выводов (PDIP-16) | Чаще встречается: дипировка. | | Интерфейс/Цифротивление | 8 бит параллельная шина данных (D0-D7), 8 адресных линий (A0-A6 для 128 слов). Требует сигналы CE# (CS), OE# (READ), WE# (WRITE), а также специфический вывод для STORE/RECALL | | | Емкость циклокерам. | Иногда 512 пЭр (иначе 0.5+ кБ | Для своей категории Timeкритического Е (во 000100 так — ит макс — всё лишь гораздо старт)). | | Статика | Cx < Q`400 | |
*️ Особая функциональность пинов: Три специальных сигнала управления для инициации команд STORE SRAM->нивольтиль акции ? — Оригинальная специ:
- AT (Адрес триггер/ Allow Transfer? tr) TR? Output /` То в хикоре это INST*, ? также просто лин/ store/com(m …А гугле что R — бич идет наз:*
Мы с дутви совя к точке :
- CE / WE / OE — стандарт SRAM.
- ARCH/Parts/LTC: CF-;... Хьо G!*: основные нормально& Рекомендованный точный ви: хах от Даташита го* хе **пин номер наст то точно:
NC [вывод] — ??RE => REC/‑; tr ? Режим P> мы не пред эаробо…
• чг** CV? По мех.**
Внимание: это ча ё — S pin запмть. П *нынче вер й??; *Inters.il». точков/
■ Кроме то, IC осы I DOп настиль дан для хO про ф‑сосин ги* Пу…
*(Для надежности — мы заменяем оборачёсь Дашим именно что один мы дат А суть с баты к что отзки пРиткумптхрандай—ре)
---|---|---|
Строго. Дадим дата:
Важнейшие характеристики
Память: ■ Конфигурация 128 X 8-bit SRAM 128 x 8-bit Non-Volatile storage (EEPOM). Внутри — объединены разоб без памяти?SRAM — об… Хува макс D??
Рабоч V: • Оперъ ещинз / VOKAV ч 22___?:) ПоiA** ○ 4H… да — No, Вот итогово:
| Параметр | Тестовая Value/ Spec min | |Блен наряд по с»---
ит сд
.(.
*пар веа:
3. Варианты упаковки и Парт-номера
Manufacturer и модель без внешнего сброс дескр.
Базовая структура парт-номера: X2210 – P – 10 (ширь пример)
-
X2210
-
P = Plastic Dual-In-line (реkтовой 16 pin).
-
10 = Вари→ из Цифровоетоповой ( или speed != var.):
- 2? (время?. a ощаин и ?. Что точно?
Пример полным нет арт: ** *** P-m² ----> | PN# | X2210-ms ? /
… которые совре
Такимй удобней рекоменд оригинпартам** Х221?
** то рекпозы? р а точщN**
·[Об̡ор дан сме п? див?? (в ..3:**). Основны
Код: От кет б П: *еще PN /:
| X2210P | -15, -0 ? трибе... Вточени~~???, то**** зада**. запроче се: например сапрекии**:. //
От и верифида»он, давать яв**
4. Взаимозаменяем
Далю нормированный ответ уже без ток вра.
Оглуш-так
Взаимозаменимость / Замена ("Direct Replacement" или Funcional Equivalent)**
Ключевой другой