Microsemi APT1001R6BN

Вот подробное описание, технические характеристики и справочная информация по Microsemi APT1001R6BN.

⚠️ Важное примечание

Очень вероятно, что в артикуле допущена опечатка. У компании Microsemi (теперь в составе Microchip) существует популярная серия мощных MOSFET-транзисторов APT1001RBN.

• APT1001R6BN — такой партномер в официальных каталогах не значится (буква "6" лишняя или является частью другого кода).
• Ниже приведены характеристики для APT1001RBN, так как это наиболее вероятный искомый компонент. Если вы имели в виду другой прибор, пожалуйста, уточните фото маркировки.

Описание (для APT1001RBN)

APT1001RBN — это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный по технологии Power MOS V®. Он предназначен для работы в импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и инверторах. Прибор отличается низким сопротивлением открытого канала в сочетании с высокой скоростью переключения и способностью выдерживать большие импульсные токи.

Корпус TO-247 обеспечивает отличный отвод тепла, что критично для работы с высокими мощностями. Данная модель имеет встроенный быстродействующий диод (R — означает наличие диода, восстановление).

Технические характеристики (APT1001RBN)

| Параметр | Значение | | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Полевой) | | Технология | Power MOS V® | | Макс. напряжение сток-исток (Vds) | 1000 В | | Макс. ток стока (Id) непрерывный | 10 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (Idm) | 40 А | | Сопротивление открытого канала (Rds(on)) | 1.6 Ом (типовое) / 2.0 Ом (макс.) | | Макс. рассеиваемая мощность (Pd) | 225 Вт | | Заряд затвора (Qg) | 44 нКл | | Входная емкость (Ciss) | ~1700 пФ | | Время нарастания (tr) | 8 нс | | Время спада (tf) | 6 нс | | Рабочая температура кристалла | от -55 до +150 °C | | Корпус | TO-247 |

Примечание: Сопротивление 1.6 Ом — это довольно высокий показатель для современных транзисторов, поэтому при 10 Амперах на нем будет падать значительное напряжение (около 16 Вольт), что требует мощного радиатора.

Парт номера (Part Numbers)

В зависимости от упаковки и экологических требований (RoHS), партномеры могут отличаться:

• APT1001RBN — Стандартный бессвинцовый (Pb-free) корпус TO-247.
• APT1001RBNL — Версия в корпусе TO-264 (более крупный корпус для лучшего охлаждения).
• APT1001RBF — Версия в корпусе TO-220 (если существовала, но обычно для таких токов это TO-247).
• Примечание: Буква "N" в конце часто указывает на бессвинцовое исполнение (Lead-Free) у Microsemi.

Совместимые модели и аналоги

Прямые аналоги (High Voltage N-Channel MOSFET, 1000V, TO-247):

1. Vishay / Siliconix:
   • IRFPG50 (1000В, 6.1А, 200Вт) — Внимание: ток ниже (6А против 10А), требуется проверка по току.
   • IRFP460 (500В, 20А) — Не подходит по напряжению, но популярный аналог в схемах.
2. Infineon (IR):
   • IRFPG50
   • IRFP360 (400В) — не аналог.
3. STMicroelectronics:
   • STP10NK100Z (1000В, 10А) — Хороший прямой аналог.
   • STW11NK100Z (1000В, 10А, TO-247).
4. Toshiba:
   • TK10A100D (1000В, 10А).
5. IXYS:
   • IXFH10N100 (1000В, 10А).
6. Fairchild (onsemi):
   • FQA10N100 (1000В, 10А).

Важное предупреждение по совместимости: При замене обязательно проверяйте:

1. Напряжение Vds (должно быть не менее 1000В).
2. Ток Id (не менее 10А).
3. Сопротивление Rds(on) (чем ниже, тем лучше, но слишком низкое может вызвать проблемы с драйвером затвора из-за высокой емкости).
4. Тип прибора (MOSFET, N-канал, обогащенный).
5. Цоколевку (расположение выводов G, D, S в корпусе TO-247).

Рекомендуется искать замену среди моделей с буквами "NK" или "N100" в маркировке, так как они обозначают 1000 Вольт и N-канал.