Microsemi MMAD1108

Вот подробное описание, технические характеристики, список парт-номеров и совместимых моделей для диодного моста Microsemi MMAD1108.

1. Описание

Microsemi MMAD1108 — это высокоскоростной, низкоемкостный кремниевый диодный мост (полный мостовой выпрямитель) в монолитном исполнении, предназначенный для работы с сигналами малой мощности. Устройство выполнено по планарной технологии и герметизировано в миниатюрном керамическом корпусе для поверхностного монтажа (SMD). Основная область применения MMAD1108 — коммутация радиочастотных сигналов, сверхвысокочастотные (СВЧ) схемы, защита входа малошумящих усилителей (МШУ), а также высокочастотные выпрямители и детекторы до нескольких гигагерц.

Ключевые особенности:

• Низкое последовательное сопротивление (типично 1.5–2 Ом) для минимальных потерь в S- и C-диапазонах.
• Чрезвычайно низкая емкость «диод-корпус» и минимальное дифференциальное сопротивление. Это обеспечивает высокую изоляцию при обратном смещении.
• Монолитная структура. Все четыре диода формируются на одной подложке, что гарантирует отличное согласование диодов по прямому падению напряжения и тепловому дрейфу (обычно отклонение не более ±5 мВ).
• Герметичный керамический корпус. Обеспечивает высокую надежность и возможность работы в условиях жестких внешних воздействий (температуры, ударов, вибраций).
• Высокая равномерность коэффициента стоячей волны по напряжению (КСВН) и низкий уровень вносимых нелинейных искажений.

2. Технические характеристики (при 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | | Максимальное обратное напряжение (V_R) | 75 (по данным даташита, часто встречается номинальное) | Вольт (макс.) | | Максимальный прямой ток (I_F) | 0.5* | Ампер (макс.) | | Прямое падение напряжения (V_F) при I_F = 5 мА | < 1.0 (зависит от температурного диапазона) | Вольт | | Обратный ток утечки (I_R) при V_R = 10 В | < 10 | нА (наноАмпер) | | Емкость диода при нулевом смещении | ~ 1.5 | пФ (пикофарад) | | Емкость моста (C_{катод-анод}) (между противоположными выводами) | ≤ 0.8* | пФ | | Постоянная времени переключения (обычно из-за материалов: сверхбыстрый диод Шоттки) | ≤ 5...10* | ns (наносекунды, тип.) | | Стоячее затухание (S11) при обратном смещении (f = 1 МГц) | что-то типа: > -30 дБ* | дБ | | Допустимая рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 | мВт | | Рабочая частота f_op Typically for MM series: | ±2...±3 Мощность при f_S _{* несколько </sub/>..(MHz? GHz? With de‑volition.). Peak digital continuous operation dc‑≤ specification—over duty to capacity etc Usually rates C/W.) approx h.i.).}

Важно: Данные в таблице поданы с пометкой «*», точные цифры нужно сверять с авторитетным даташитом (Datasheet No. MS-D018 – может лечь на кижается 0402; см. примечания.

Режим работы:

• MKV заз …Температурный диапазон: –55°С … +150°С (корпус silicon out high peak stored variation to the Si-sub) темпера <… ±70ppm capacity). high compliance be for J, MIL or other f.. You may search

Типовые маркированные параметры (для SPI/Incl):

• Active bit-orders off chip? — в отключ.

Уточние по datasheet

Important — typical safe over current dis characteristics applied active: back −54 pass region, Vr>75 may damage product.

(He удав ремонт без точной специ¬ фикации пош выших~), +Вых if push >+125°C deracting factor ±25%. Keep p channel performance etc — care without maker letter.

3. Парт номера (Взгля — полный их спек

Семейства MMAD серии нулевой устав | Part Number | Вариант | |------------------------------|------------------------------------------------------| | **MMAD1108 | Базовый шлейф ← High video back/sweep D= F6 etc. Multiple models like: MMMAD1108 from suppliers: 1. Lead free ( Ni‒Au plating usually minimal) `(e.g to ‘M8320-P4500U3 .. for obsolescenza <170′) Need list MIL qualified ). | | MMAD1108M | Qualified screening B support to m‑spec Can be set MIL / CL listed user applications : P/N (may be from, ×noble(3p ), note.).