Eupec AD116S12KDF

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и информация о совместимости для IGBT-модуля Eupec (ныне Infineon) AD116S12KDF.

Общее описание

Eupec AD116S12KDF — это высоковольтный, двухключевой IGBT-модуль (Dual IGBT) второго поколения (Trenchstop IGBT2 + Emitter Controlled Diode2). Он предназначен для использования в мощных преобразовательных устройствах промышленного назначения, таких как:

• Частотные преобразователи (приводы переменного тока) средней и высокой мощности
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для возобновляемой энергетики (солнечные и ветровые установки)
• Промышленные инверторы и сварочное оборудование

Модуль объединяет в одном изолированном корпусе два полностью независимых IGBT-транзистора с обратными диодами, что позволяет строить компактные двухключевые топологии (например, плечо трехфазного инвертора).

Ключевые особенности

• Высокое напряжение: 1200 В, что подходит для сетей 380В, 400В, 480В, 690В (с запасом).
• Высокий ток: 116А при 80°C (и до 232А в импульсе).
• Низкие потери: Благодаря технологии Trenchstop снижены потери проводимости (Vce_sat) и коммутации.
• Высокая перегрузочная способность: Короткозамыкательная стойкость (SCSOA) до 10 мкс.
• Изолированный корпус: Медная основа с керамической изоляцией (DCB-подложка), позволяющая монтировать модуль на общий радиатор без изолирующих прокладок.
• Встроенный NTC-термистор: Для контроля температуры корпуса.

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Производитель / Бренд | Eupec (Infineon Technologies) | С 1999 г. Eupec является частью Infineon. | | Тип модуля | Dual (2 в 1) | Два IGBT с антипараллельными диодами в одном корпусе. | | Корпус | EconoDual™ 3 | Стандартный корпус для силовой электроники. | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | Максимальное рабочее напряжение. | | Ток коллектора (при T_c=80°C) | I_C = 116 А | Непрерывный ток на каждый ключ. | | Ток коллектора (пиковый) | I_CM = 232 А | Максимальный импульсный ток. | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | V_CE(sat) ≈ 2.0 В | Типовое значение при номинальном токе. | | Падение напряжения на диоде | V_F ≈ 1.7 В | Типовое значение. | | Рассеиваемая мощность | P_tot ≈ 625 Вт | На весь модуль. | | Температура перехода | T_vj max = 150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла. | | Температура хранения | T_stg = от -40 до +125 °C | | | Вес | ~ 200 г | | | Термистор | Встроенный NTC | R_25°C = 5 кОм, B-константа 3435 K. | | Изоляция (корпус-база) | ≥ 2500 В (эфф.) / 3535 В (пост.) | Испытательное напряжение 50 Гц, 1 мин. |

Парт-номера и совместимые модели

Этот модуль имеет несколько обозначений в зависимости от периода производства и системы нумерации. Все перечисленные ниже номера являются прямыми аналогами и взаимозаменяемыми.

1. Прямые аналоги (тот же модуль, другие номера):

• Infineon AD116S12KDF — актуальный номер после ребрендинга.
• Eupec AD116S12KDF — оригинальный номер от Eupec.
• Infineon AD116S12KDF-ND — вариант для дистрибьюторских поставок.

2. Функционально совместимые модели (аналоги от других производителей):

Модули в том же корпусе EconoDual 3 со схожими или идентичными характеристиками (1200В, ~100-130А). Внимание! При замене необходимо сверять цоколевку (pinout) и электрические характеристики по даташитам.

• SEMIKRON: SKM 100GB12T4 (100А), SKM 145GB12T4 (145А)
• Fuji Electric: 2MBI100V-120 (100А), 2MBI150V-120 (150А)
• Mitsubishi Electric: CM100DY-12H (100А), CM150DY-12H (150А) (но чаще в других корпусах)
• IXYS (Littelfuse): MII100-12A3 (100А)

3. Модели для замены с учетом модернизации:

Infineon выпускает более новые поколения IGBT в том же корпусе, которые могут быть полностью обратно-совместимы по размерам и цоколевке, но имеют лучшие параметры. Это предпочтительный вариант для ремонта и новых разработок:

• Infineon AIKQ116S12KDF — модуль с IGBT4 (четвертым поколением). Более низкие потери, более высокая эффективность. Прямая замена в большинстве случаев.
• Infineon AIKQ160S12KDF — модуль с IGBT4 на 160А в том же корпусе. Имеет более высокий токовый запас.

Важные замечания по применению и замене:

1. Проверка даташита: Перед заменой всегда сверяйте распиновку (pinout) и механические чертежи по официальным даташитам.
2. Поколение технологии: Модули с более новыми технологиями (IGBT4, IGBT7) имеют меньшие динамические потери, что может потребовать корректировки драйверов (снижения резисторов в затворе) для оптимальной работы.
3. Термоинтерфейс: При замене обязательно использовать качественную теплопроводную пасту.
4. Момент затяжки: Соблюдать момент затяжки силовых и монтажных винтов, указанный в документации (обычно 2.0 - 2.5 Н·м для силовых клемм).
5. Драйверы: Убедитесь, что драйвер затвора обеспечивает необходимые токи заряда/разряда и напряжение ±15В (рекомендованное для данного модуля).

Рекомендация: Для поиска и покупки в настоящее время оптимально искать по номеру Infineon AIKQ116S12KDF или Infineon AD116S12KDF.