Eupec BSM100GAR120D

Отличный выбор! Eupec BSM100GAR120D — это классический и очень надежный силовой IGBT-модуль от Infineon Technologies (ранее выпускавшийся под брендом Eupec). Вот подробное описание, характеристики и совместимость.

Краткое описание

BSM100GAR120D — это двухключевой (Dual) IGBT-модуль в стандартном изолированном корпусе, рассчитанный на работу в схемах инверторов, частотных преобразователей, сварочных аппаратах и другом промышленном оборудовании. Модуль объединяет в одном корпусе два транзистора с обратными диодами, что позволяет собирать мостовые схемы (полумосты).

Ключевые особенности:

• Технология IGBT 3-го поколения (Trench/Field Stop): Обеспечивает низкое падение напряжения в насыщении (Vce_sat) и высокую эффективность переключения.
• Изолированный медный базовый корпус: Позволяет монтировать несколько модулей на общий радиатор без изоляционных прокладок, улучшая тепловой отвод.
• Встроенные обратные диоды (Flyback Diodes): Быстрые эпитаксиальные диоды для коммутации индуктивных нагрузок.
• Высокая перегрузочная способность: Короткозамкнутый режим работы до 10 мкс.
• Винтовые клеммы (M5/M6): Удобное и надежное подключение силовых цепей.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Классификация | Dual IGBT модуль (2 в 1, полумост) | | | Коллектор-Эмиттер напряжение | V_CES = 1200 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать закрытый транзистор. | | Номинальный ток коллектора | I_C = 100 А (при T_c=80°C) | Постоянный ток в открытом состоянии. | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM = 200 А | Пиковый кратковременный ток. | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.7 В (тип., при I_C=100А) | Прямые потери проводимости. Чем меньше, тем лучше. | | Напряжение насыщения диода (V_F) | ~2.2 В (тип.) | Прямые потери на встроенном обратном диоде. | | Мощность рассеяния (P_tot) | ~625 Вт (на модуль) | Суммарная рассеиваемая мощность. | | Температура перехода (T_vj) | -40...+150 °C | Максимально допустимая температура кристалла. | | Тепловое сопротивление (переход-корпус) | R_th(j-c) = 0.24 К/Вт (на IGBT/диод) | Характеризует эффективность отвода тепла от кристалла к корпусу. | | Энергия переключения (E_ts) | ~8.5 мДж (тип., при 600В, 100А) | Определяет динамические (коммутационные) потери. | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~50 нс / 400 нс (тип.) | Быстродействие транзистора. | | Напряжение управления (V_GE) | ±20 В (макс.), номинал: +15В / -15В | Стандартное для IGBT. | | Пороговое напряжение (V_GE(th)) | ~5.5 В (тип.) | Напряжение, при котором начинается открытие. | | Входная емкость (C_ies) | ~12 нФ (тип.) | Влияет на требования к драйверу. |

Парт-номера и прямые аналоги

1. Прямые замены (аналоги) от Infineon: Это модули с идентичными или практически идентичными электрическими и механическими параметрами. Они являются прямой заменой без изменений в схеме.

• BSM100GB120DNC — функциональный и конструктивный аналог от Infineon. Часто используется как номер для заказа.
• BSM100GAR120DNC — полное коммерческое обозначение, может включать информацию о качестве (NC).

2. Кросc-референсы и совместимые модели от других производителей: Эти модули имеют схожие характеристики, корпус и расположение выводов (pin-to-pin совместимость), но перед заменой обязательно нужно сверяться с даташитом.

• Fuji Electric: 2MBI100U2B-120 (серия U2). Очень популярный и распространенный аналог.
• Mitsubishi Electric: CM100DU-12NFH (или более новые серии).
• SEMIKRON: SKM100GB12T4 (серия T4).
• Powerex (Mitsubishi): CM100DU-12F.
• Hitachi: Не рекомендуется для прямой замены без проверки, так как распиновка может отличаться.

Внимание! При замене всегда проверяйте:

• Распиновку управляющих выводов (Gate, Emitter).
• Напряжение насыщения (Vce_sat) и энергию переключения (Ets) — они влияют на нагрев и КПД.
• Рекомендуемые параметры драйвера.

Типовые области применения

• Частотные преобразователи (ПЧ): Для управления асинхронными электродвигателями мощностью до ~55-75 кВт.
• Сварочные инверторы: В силовой части инверторных источников питания.
• ИБП (UPS): В инверторах источников бесперебойного питания высокой мощности.
• Промышленные источники питания: Для индукционного нагрева, гальваники и т.д.
• Приводы постоянного тока.

Важные замечания для использования

1. Теплоотвод: Обязательно использование качественного радиатора с теплопроводной пастой. Монтажный момент винтов корпуса критически важен (указан в даташите).
2. Драйвер: Необходим специализированный драйвер IGBT, обеспечивающий достаточный ток заряда/разряда затвора и отрицательное смещение для надежного закрытия.
3. Защита: В схемах обязательна защита от перегрузки по току, короткого замыкания и перенапряжения на коллекторе (снабберные цепи или активные клампы).
4. Даташит: Перед проектированием или заменой всегда изучайте официальный даташит (datasheet) от Infineon.

Модуль BSM100GAR120D зарекомендовал себя как "рабочая лошадка" в промышленной электронике благодаря оптимальному соотношению цены, надежности и характеристик.