Semiconductor VS10WQ045FN

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для Vishay VS10WQ045FN.

Описание

VS10WQ045FN — это мощный N-канальный MOSFET от компании Vishay Siliconix, выполненный по передовой технологии TrenchFET® Gen IV. Этот транзистор разработан для приложений, где критически важны высокая эффективность, низкие потери и компактные размеры.

Ключевые особенности, которые делают его популярным:

• Сверхнизкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 0.45 мОм при 10 В. Это минимизирует потери на проводимость и нагрев в ключевом режиме.
• Высокая стоковая мощность: Способен выдерживать постоянный ток до 240 А (ID) и импульсный до 960 А (IDM), что делает его пригодным для высокотоковых применений.
• Оптимизация для синхронного выпрямления и управления двигателями: Идеально подходит для цепей нижнего плеча (low-side) в DC/DC преобразователях, систем управления питанием (POL), моторных драйверах и системах защиты от обратной полярности.
• Высокая стойкость к лавинным нагрузкам (UIS): Гарантированная стойкость, что повышает надежность в жестких условиях эксплуатации.
• Малый заряд затвора (Qg): Упрощает управление и снижает потери на переключение, особенно на высоких частотах.
• Корпус PowerPAK® 10x10: Обеспечивает отличный тепловой отвод через открытую контактную площадку на нижней стороне и имеет низкое паразитное сопротивление и индуктивность выводов.

Типичные области применения:

• Синхронное выпряление в высокоэффективных импульсных источниках питания (SMPS), VRM, POL.
• Управление двигателями в промышленном оборудовании, робототехнике, электроинструментах.
• Системы защиты (eFuse, обратная полярность) в телекоммуникационном и серверном оборудовании.
• DC/DC преобразователи в вычислительной технике, автомобильной электронике (48V системах), системах накопления энергии (ESS).

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | - | N-канальный, Enhancement Mode | | | Технология | - | TrenchFET® Gen IV | | | Корпус | - | PowerPAK® 10x10 | | | Макс. напряжение "сток-исток" | V_DSS | 45 В | | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.45 мОм (макс.) | V_GS = 10 В, I_D = 120 А | | | | 0.55 мОм (макс.) | V_GS = 4.5 В, I_D = 80 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 1.5 - 2.5 В | V_DS = V_GS, I_D = 250 мкА | | Макс. постоянный ток стока | I_D | 240 А | T_C = 25°C | | Макс. импульсный ток стока | I_DM | 960 А | | | Макс. мощность рассеяния | P_D | 417 Вт | T_C = 25°C | | Заряд затвора (полный) | Q_g | ~ 220 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Входная емкость | C_iss | ~ 12000 пФ (тип.) | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В | | Диод "сток-исток" (встроенный) | - | Есть (Body Diode) | | | Макс. температура перехода | T_J | от -55 до +175 °C | |

Парт-номера и совместимые / аналогичные модели

1. Прямые аналоги от Vishay (тот же кристалл, другой корпус или маркировка):

• VS10WQ045FNTR: Это стандартный парт-номер для поставки на катушке (Tape & Reel). По сути, та же самая деталь.
• SiZF40DN: Более ранняя/альтернативная маркировка от Vishay для аналогичного устройства. Требуется проверка даташита на полное соответствие.

2. Функциональные аналоги и конкурирующие модели от других производителей (с близкими параметрами V_DSS=40-60В, R_DS(on) ~0.4-0.6 мОм):

Важно: Перед заменой необходимо внимательно сверять все параметры, распиновку (pinout) и механические размеры согласно даташитам.

• Infineon:

  • IPP040N06N3 G (60 В, 0.4 мОм, TO-220 / D²PAK) — классический аналог в другом корпусе.
  • BSC010NE2LS (25 В, но часто используется в схожих низковольтных приложениях, PowerPAK 8x8).
  • Серия OptiMOS 5/6 в корпусах SuperSO8, PQFN 8x8 (например, IRL40B212).

• ON Semiconductor:

  • FDBL86062_F085 (60 В, 0.62 мОм, Power56) — близкий аналог.
  • NTMFS5C670N (60 В, 0.67 мОм, SuperSO8).

• STMicroelectronics:

  • STL320N4F7 (40 В, 0.37 мОм, PowerFLAT 8x8 HV) — очень высокие параметры.
  • STP320N6F7 (60 В, 0.8 мОм, TO-220).

• Texas Instruments:

  • CSD17573Q3 (40 В, 0.55 мОм, SON 5x6) — для более компактных решений.
  • Серия NextFET от TI.

• Alpha & Omega Semiconductor (AOS):

  • AONV130A60 (60 В, 0.5 мОм, DFN 8x8) — популярный аналог.
  • AONV140L60 (60 В, 0.4 мОм, DFN 8x8).

3. Совместимые по корпусу (форм-фактору) модели:

Любой MOSFET в корпусе PowerPAK® 10x10 (или аналогичном, например, DFN 10x10, SuperSO8 10x10) будет иметь схожие монтажные размеры. Однако электрические параметры могут кардинально отличаться. Всегда проверяйте посадочное место на плате (footprint).

Рекомендация по выбору аналога:

1. Определите критичные параметры для вашей схемы: максимальный ток, напряжение, потери на проводимость (R_DS(on)) или переключение (Q_g).
2. Используйте параметрический поиск на сайтах дистрибьюторов (например, LCSC, Mouser, DigiKey) или производителей, задав ключевые фильтры: V<sub>DSS</sub> > 45В, R<sub>DS(on)</sub> < 0.5 мОм, I<sub>D</sub> > 200А, Корпус: DFN10x10 / PowerPAK 10x10.
3. Внимательно сравните графики характеристик (особенно зависимость R_DS(on) от V_GS и температуры) в даташитах перед окончательной заменой.

Этот MOSFET является высококлассным компонентом для требовательных применений, и его аналоги следует подбирать с особой тщательностью.