Semiconductor UN2113

Semiconductor UN2113
Артикул: 1658710

производитель: Semiconductor
Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Semiconductor UN2113

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для транзистора UN2113.

Описание

UN2113 — это биполярный NPN-транзистор общего назначения в маломощном корпусе SOT-323. Он предназначен для применения в схемах усиления, переключения и управления сигналами низкой мощности.

Ключевые особенности:

  • Тип: NPN биполярный транзистор (BJT).
  • Корпус: SOT-323 — очень компактный поверхностно-монтируемый корпус (SMD), что делает его идеальным для портативной и миниатюрной электроники.
  • Назначение: Усиление слабых сигналов (например, в аудиотрактах, датчиках), высокоскоростное переключение (драйверы, логические схемы) и общие функции управления в электронных устройствах.
  • Основные преимущества: Высокий коэффициент усиления по току (hFE), низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)), что обеспечивает хорошую эффективность переключения, и малые размеры.

Технические характеристики (Типовые / Абсолютные максимальные)

Параметры приведены при комнатной температуре (Ta=25°C), если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия измерения / Примечания | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | NPN | Биполярный транзистор | | Корпус | — | SOT-323 | 3 вывода | | Максимальное напряжение Коллектор-Эмиттер | VCEO | 50 В | | | Максимальное напряжение Коллектор-База | VCBO | 60 В | | | Максимальное напряжение Эмиттер-База | VEBO | 5 В | | | Постоянный ток коллектора | IC | 100 мА | | | Максимальная рассеиваемая мощность | PD | 200 мВт | | | Диапазон рабочих температур | Tj | -55 ~ +150 °C | | | Коэффициент усиления по току | hFE | 82 ~ 390 | VCE</=6V, IC=2mA (имеет несколько градаций) | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | VCE(sat) | 0.1 В (макс.) | IC=50mA, IB=5mA | | Напряжение насыщения База-Эмиттер | VBE(sat) | 0.95 В (макс.) | IC=50mA, IB=5mA | | Граничная частота усиления | fT | 200 МГц (тип.) | Показатель высокочастотных возможностей |


Парт-номера и прямые аналоги (Pin-to-Pin совместимые)

Транзисторы в том же корпусе SOT-323 с идентичным расположением выводов (Коллектор-База-Эмиттер) и схожими характеристиками.

Прямые аналоги от других производителей:

  • MMBT4401: Один из самых популярных и распространенных аналогов. Характеристики практически идентичны.
  • BC847B, BC848B: Очень распространенные европейские аналоги. Нужно проверять распиновку (у некоторых B-C-E), но в SOT-323 часто совпадает с UN2113.
  • 2SC2712: Старый японский аналог.
  • KST44: Аналог от Korean Semiconductor.
  • MMBTA06: Имеет более высокое напряжение VCEO (80В), но также подходит.

Важно: Всегда сверяйтесь с datasheet конкретного производителя, особенно раздел Pin Configuration (Распиновка), перед заменой.


Совместимые модели и типичное применение

UN2113 и его аналоги широко используются в качестве:

  1. Драйверы маломощных реле и светодиодов.
  2. Усилительные каскады в аудиоаппаратуре (предусилители).
  3. Ключи (свитчеры) в логических схемах и интерфейсах.
  4. Компоненты цепей управления в блоках питания, материнских платах, телевизорах, аудио- и видеотехнике.
  5. Импульсные преобразователи малой мощности.

Примеры устройств, где можно встретить подобные транзисторы:

  • Мобильные телефоны и планшеты
  • Ноутбуки и компьютерная периферия
  • Пульты дистанционного управления
  • Аудио- и радиоаппаратура
  • Бытовая электроника

Заключение

UN2113 — надежный и недорогой транзистор общего назначения для поверхностного монтажа. Его ключевые преимущества — высокое усиление и компактность. При поиске замены или аналога MMBT4401 является самым прямым и доступным вариантом. Перед заменой всегда рекомендуется проверять распиновку на печатной плате и в документации заменяемого компонента.

Совместимые модели для Semiconductor UN2113

Semiconductor UN2113

Товары из этой же категории