Semiconductor PHD38N02

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для полевого транзистора Semiconductor PHD38N02.

Описание

PHD38N02 — это N-канальный MOSFET (полевой транзистора с изолированным затвором) в корпусе TO-252 (DPAK), предназначенный для применения в схемах переключения низкого напряжения и высокого тока. Это один из классических и популярных компонентов в силовой электронике.

Ключевые особенности и применение:

• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): Позволяет минимизировать потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Быстрое переключение: Подходит для импульсных источников питания (DC-DC преобразователей), цепей управления двигателями (MOSFET-драйверы), систем управления батареями (BMS).
• Низкое пороговое напряжение затвора: Упрощает управление от стандартных микроконтроллеров (логический уровень ~5В).
• Основные сферы применения: Импульсные блоки питания, низковольтные приводы, системы защиты от перегрузки по току, силовые ключи в автомобильной и потребительской электронике.

Технические характеристики (Типовые / Максимальные)

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET, Enhancement Mode (обогащения).
• Корпус: TO-252 (DPAK), 3 вывода.
• Схема выводов (распиновка):
  1. G (Gate) — Затвор
  2. D (Drain) — Сток
  3. S (Source) — Исток
• Полярность: N-Channel.

Максимальные предельные значения (Absolute Maximum Ratings):

• Сток-Исток напряжение (Vds): 20 В
• Сток-Затвор напряжение (Vdgr): 20 В
• Затвор-Исток напряжение (Vgs): ±12 В
• Постоянный ток стока (Id) при Tc=25°C: 180 А (очень высокий пиковый показатель, требует идеального теплоотвода).
• Импульсный ток стока (Idm): До 540 А (кратковременно).
• Рассеиваемая мощность (Pd) при Tc=25°C: 45 Вт
• Диапазон рабочих температур перехода (Tj): от -55°C до +175°C
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (Rds(on)):
  • Макс. 1.8 мОм при Vgs = 10 В, Id = 80 А
  • Макс. 2.3 мОм при Vgs = 4.5 В, Id = 80 А (важно для логического уровня).
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): 1.0 - 2.5 В (тип. 1.5 В)

Динамические характеристики:

• Емкость затвора (Ciss): ~ 5500 пФ (высокая, требует мощного драйвера для быстрого переключения).
• Заряд затвора (Qg): ~ 150 нКл (типовое).

Парт-номера и аналоги (Cross-Reference)

PHD38N02 — это, скорее всего, номер производителя "Semiconductor" (возможно, вторичный рынок или rebrand). Основным оригинальным аналогом, на который он ссылается, является:

Прямые аналоги и эквиваленты:

• IRF3205 (International Rectifier / Infineon) — ОЧЕНЬ РАСПРОСТРАНЕННЫЙ и часто используемый как аналог. Имеет схожие, но не идентичные параметры (Vds=55В, Rds(on)=8.0 мОм). Подходит по току и корпусу, но рассчитан на более высокое напряжение.
• IRFZ44N (Vds=55В, Rds(on)=22 мОм) — Более старый и менее мощный, но часто используется как замена в менее требовательных схемах.
• STP55NF06 (STMicroelectronics) — Vds=60В, Rds(on)=16 мОм.
• FQP50N06 (Fairchild/ON Semi) — Vds=60В, Rds(on)=22 мОм.
• АО3400 / АО3400A (Alpha & Omega) — Более современный аналог в корпусе SOT-23, для меньших токов.
• IRLB4132 (International Rectifier) — Логический уровень, Vds=30В, очень низкое Rds(on).

Более точные аналоги по параметрам (20-25В, низкое Rds(on)):

• IRL1004 (International Rectifier) — Логический уровень, Vds=40В.
• AOD4184 (Alpha & Omega) — Vds=40В, Rds(on)=2.1 мОм.
• SI7850DP (Vishay) — Vds=25В, Rds(on)=1.8 мОм.
• NVMFS5C410N (ON Semiconductor) — Современный компонент с исключительно низким Rds(on).

Важные примечания по замене:

1. Всегда проверяйте datasheet! Перед заменой необходимо сверить распиновку (pinout), пороговое напряжение (Vgs(th)) и емкость затвора (Ciss/Qg). Несовпадение может привести к некорректной работе или выходу из строя драйвера.
2. IRF3205 vs PHD38N02: Хотя IRF3205 часто используется как замена, он рассчитан на более высокое напряжение (55В против 20В), но имеет большее сопротивление Rds(on). В низковольтных (12-24В) цепях с высоким током PHD38N02 может быть эффективнее из-за меньших потерь.
3. Корпус: Обращайте внимание на соответствие корпуса (TO-252/DPAK).

Совместимые модели (для прямого использования в схемах, рассчитанных на PHD38N02)

Для замены в существующей схеме лучше всего искать MOSFET со следующими критическими параметрами:

• Vds: ~20-30 В.
• Id: не менее 100-150А (пиковый).
• Rds(on): менее 2.5 мОм при Vgs=4.5-5В.
• Корпус: TO-252 (DPAK) или более мощный TO-263 (D2PAK).
• Vgs(th): логический уровень (1.5-2.5В).

Рекомендуемые модели для проверки на совместимость (сравнивайте даташиты):

• PHD38N02 (оригинал, если доступен)
• IRF3205 (универсальная замена, но проверьте нагрев)
• AOD4184 (хороший современный аналог)
• SI7850DP (очень близкие параметры)

Вывод: PHD38N02 — мощный низковольтный MOSFET для задач, где критичен высокий ток и минимальные потери. При замене необходимо уделять особое внимание не только предельным токам и напряжениям, но и динамическим характеристикам (заряд затвора), которые влияют на работу схемы управления.