Semiconductor KF5N50FZA

Отличный выбор! KF5N50FZA — это популярный и надежный силовой MOSFET-транзистор. Вот подробное описание и технические характеристики.

Общее описание

KF5N50FZA — это N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии Planar Technology, предназначенный для коммутации средних и высоких напряжений. Его ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (Vdss): 500В, что делает его пригодным для работы в сетевых (220В) схемах.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 2.5 Ом (макс.) при токе 2А, что обеспечивает низкие потери на проводимость и нагрев.
• Быстрое переключение: Благодаря низким емкостям и встроенному демпферном диоде с быстрым восстановлением (Fast Recovery Epitaxial Diode - FRED), подходит для импульсных преобразователей.
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою (UIS): Может рассеивать энергию при индуктивных выбросах напряжения.
• Корпус TO-220F (Full-Pak): Полностью пластиковый, изолированный корпус. Это важное отличие от TO-220! Не требует изолирующей прокладки при монтаже на радиатор, что упрощает сборку и улучшает тепловые характеристики (меньше тепловое сопротивление "кристалл-радиатор").

Типичные применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) малой и средней мощности.
• Электронные балласты для люминесцентных ламп.
• Приводы двигателей (инверторы) малой мощности.
• DC-AC преобразователи (инверторы).

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 500 В | — | | Ток стока (непрерывный) | I_D | 4.5 А | T_c=25°C | | Ток стока (импульсный) | I_DM | 18 А | — | | Сопротивление "сток-исток" (откр.) | R_DS(on) | 2.5 Ом (макс.) | V_GS=10 В, I_D=2 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.0 - 4.0 В | V_DS=V_GS, I_D=250 мкА | | Емкость "вход-выход" | C_rss | ~15 пФ | V_DS=25 В, V_GS=0 В, f=1 МГц | | Заряд затвора (общий) | Q_g | ~12 нКл | V_GS=10 В | | Время включения / выключения | t_d(on) / t_d(off) | ~15 нс / ~55 нс | — | | Параметры встроенного диода: | | | | | - Прямой ток | I_SD | 4.5 А | | | - Время обратного восстановления | t_rr | ~150 нс (тип.) | I_F=2.5 А, di/dt=100 A/мкс | | Тепловые параметры: | | | | | - Рассеиваемая мощность | P_D | 38 Вт | T_c=25°C | | - Тепловое сопротивление "переход-корпус" | R_θJC | 3.33 °C/Вт | | | - Максимальная температура перехода | T_J | 150 °C | | | Корпус | | TO-220F (Full-Pak, изолированный) | |

Парт-номера (Аналоги от других производителей)

KF5N50FZA производится компанией Samsung (в настоящее время подразделение Fairchild/ON Semiconductor). Прямые или очень близкие аналоги:

1. STMicroelectronics: STP5NK50ZFP (почти полный аналог в корпусе TO-220FP)
2. ON Semiconductor / Fairchild: FQPF5N50C, FQA5N50C (в других корпусах)
3. Infineon: SPA5N50C3 (более современная технология CoolMOS, но схожие параметры)
4. Vishay / Siliconix: SUP5N50-18 (близкий аналог)
5. Toshiba: TK5A50D,TK5A50U (схожие параметры)

Важно: При замене всегда сверяйтесь с даташитом, особенно обращайте внимание на:

• Корпус: TO-220F (изолированный) vs TO-220 (неизолированный).
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)): Может отличаться, что важно для схем управления.
• Заряд затвора (Qg) и емкости: Влияют на динамику переключения и нагрузку на драйвер.

Совместимые модели (внутри линейки и для замены в схемах)

При подборе замены или аналога в ремонте можно рассматривать транзисторы с равными или более высокими ключевыми параметрами:

• По напряжению: Подойдут MOSFET с Vdss 500В и выше (например, 600В, 650В). Например: KF5N60FZA, 5N60, 6N60, 7N60, 8N60.
• По току: Подойдут MOSFET с током I_D 4.5А и выше (например, 5А, 6А, 7А). Например: KF7N50FZA, 7N50.
• По корпусу: Прямая замена в схемах, рассчитанных на изолированный корпус — другие модели в TO-220F, TO-220FP, I²PAK, TO-262 (последние два часто являются изолированными аналогами).
• Более современные аналоги: Часто вместо старых Planar MOSFET (как KF5N50FZA) используют транзисторы, сделанные по технологии Superjunction (CoolMOS, MDmesh, SuperFET и др.). Они имеют гораздо меньшее Rds(on) при том же токе и напряжении, но могут быть критичны к скорости переключения и выбросам. Пример: IPP5N50C3 (Infineon), FCP5N60 (Fairchild).

Рекомендация по замене: Если в устройстве сгорел KF5N50FZA, и вы не нашли точный аналог, лучшим выбором будет:

1. STP5NK50ZFP — практически полный функциональный и конструктивный аналог.
2. 5N50C в корпусе TO-220F/FP от любого проверенного производителя (Infineon, ON Semi, STM).
3. Если позволяет плата, можно установить аналог в корпусе TO-220 (например, IRF840), но обязательно использовать слюдяную или керамическую прокладку и изолирующую втулку для крепления.

Всегда проверяйте распиновку (pinout) перед установкой аналога!