Semiconductor FQD12N20L

Отличный выбор! FQD12N20L — это популярный и надежный N-канальный MOSFET от Fairchild Semiconductor (ныне часть ON Semiconductor). Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

FQD12N20L — это N-канальный MOSFET, выполненный по передовой технологии TrenchFET®. Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (Vdss): 200 В — подходит для работы в сетях 110-230В AC после выпрямления.
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)): 0.12 Ом при напряжении затвора 10 В — обеспечивает низкие коммутационные потери и нагрев.
• Быстрое переключение благодаря низким зарядами затвора (Qg).
• Улучшенная устойчивость к лавинному пробою (100% тестирование UIS) — повышенная надежность в индуктивных цепях.
• Планарная технология с изолированным металлическим корпусом (тab), что улучшает теплоотвод и позволяет монтировать радиатор без изоляционной прокладки (если это допускает схема).

Основные области применения:

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC, основной преобразователь, синхронный выпрямитель.
• Управление двигателями (например, в бытовой технике, промышленных приводах).
• DC-DC преобразователи.
• Инверторы (например, для UPS, солнечных панелей).

Технические характеристики (основные параметры)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 200 В | | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.12 Ом | V_GS = 10 В, I_D = 6 А | | | | 0.16 Ом | V_GS = 4.5 В, I_D = 4.5 А | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2 - 4 В | I_D = 250 мкА | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 12 А | T_C = 25°C | | Импульсный ток стока | I_DM | 48 А | | | Мощность рассеяния | P_D | 50 Вт | T_C = 25°C | | Заряд затвора (общий) | Q_g | 42 нКл (тип.) | V_GS = 10 В | | Время нарастания / спада | t_r / t_f | 35 нс / 25 нс (тип.) | | | Корпус | | TO-252 (DPAK) | Планарный, с изолированным теплоотводом. |

Важное примечание: Максимальный ток и мощность сильно зависят от условий теплоотвода (радиатора, площади печатной платы). Всегда необходимо проводить тепловой расчет для конкретного применения.

Парт-номера (прямые аналоги от других производителей)

Полностью идентичные или максимально близкие по электрическим параметрам и корпусу DPAK:

• STMicroelectronics: STP12N20K5, STP12NM20N (очень близкий аналог)
• Infineon: IPD12N20L3G (прямой аналог от Infineon), IPP12CN20L
• Vishay (Siliconix): SQJ412EP-T1_GE3
• ON Semiconductor (собственно производитель): Тот же номер FQD12N20L остается актуальным после покупки Fairchild.
• International Rectifier: IRF740B (200В, 0.55 Ом, 10А - параметры хуже, но часто используется как замена в менее требовательных схемах)

Совместимые модели для замены (с проверкой по datasheet!)

При замене обязательно нужно сверяться с datasheet, особенно по параметрам V_GS(th), Qg, Rds(on) и емкостям. Следующие модели имеют схожие характеристики и часто взаимозаменяемы в типовых схемах:

Более мощные / с лучшими параметрами (часто можно ставить "сверху вниз"):

• FDP12N20NZ / FDPF12N20NZ — аналог от Fairchild/ON в корпусе TO-220/TO-220F.
• IRF740 (более старый, с худшим Rds(on)) — распространен, но менее эффективен.
• STP12NK20Z (от ST) — очень близкие параметры.
• IPP12CN20L G (от Infineon) — отличный современный аналог.
• AOT12N20 (от Alpha & Omega) — хороший аналог.

Условно-совместимые (перед заменой нужна проверка в схеме!):

• Модели с напряжением 200-250В и током 10-15А в корпусе DPAK/D2PAK/TO-220, такие как:
  • RURG12NN02 (Rohm)
  • TK12A20U (Toshiba)
  • NCEP12T20 (ON Semiconductor)

Рекомендации по замене:

1. Приоритет 1: Использовать прямые аналоги из списка выше (STP12NM20N, IPD12N20L3G).
2. Приоритет 2: Выбирать модель с равным или более высоким напряжением Vdss, равным или меньшим Rds(on), равным или большим током Id.
3. Обязательно проверять: Распиновку корпуса (она стандартна для DPAK: 1-Затвор, 2-Сток, 3-Исток), а также динамические характеристики (Qg, Ciss) если схема высокочастотная.
4. Внимание на корпус: FQD12N20L — в DPAK (TO-252). При замене на модель в TO-220 потребуется переделка монтажа.

Итог: FQD12N20L — это качественный и сбалансированный MOSFET для силовых применений до 200В. Его популярность обеспечивает широкий выбор прямых и перекрестных аналогов от ведущих производителей.