5STB1365N0001

Описание и технические характеристики STB1365N0001

STB1365N0001 – это силовой транзистор (IGBT) от STMicroelectronics, предназначенный для высокоэффективных импульсных преобразователей, инверторов и других силовых электронных устройств. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |--------------------------|-------------| | Тип транзистора | IGBT (N-канальный) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 650 В | | Максимальный ток коллектора (I_C) | 40 А (при 25°C) | | Максимальный импульсный ток (I_CM) | 80 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,55 В (при I_C = 20 A) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Температурный диапазон | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 | | Встроенный диод | Да (антипараллельный) | | Тип затвора | Стандартный (не superjunction) |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги от STMicroelectronics:

• STGB1365N0001 (аналог в корпусе TO-263)
• STGP1365N0001 (аналог в корпусе TO-220)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IKW40N65H5
• Fairchild/ON Semiconductor: FGH40N65SMD
• IR (Infineon): IRG4PC50UD

Совместимые модели и применение:

Транзистор STB1365N0001 используется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Импульсных блоках питания (SMPS)
• Системах управления двигателями
• Сварочных инверторах
• UPS (источниках бесперебойного питания)

Если вам нужна более точная информация по заменам или аналогам, уточните условия эксплуатации (частоты переключения, токи, систему охлаждения).