Pp15012h Igbt Pp15012hsn5A

Описание IGBT модуля PP15012H / PP15012HSN5A

PP15012H и PP15012HSN5A – это IGBT-модули (Insulated Gate Bipolar Transistor) от производителя Powerex (Mitsubishi Electric). Они предназначены для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в стандартном корпусе и включает в себя IGBT-транзисторы с антипараллельными диодами, обеспечивающие эффективное переключение в высоковольтных и сильноточных цепях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 150 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | ~ 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~ 2,3 В (при 150 А) |
| Время включения (t_on) | ~ 80 нс |
| Время выключения (t_off) | ~ 350 нс |
| Тип корпуса | 2 в 1 (два IGBT + два диода) |
| Температура хранения | от -40°C до +125°C |
| Рабочая температура | до +150°C (с учетом охлаждения) |

Парт-номера и совместимые модели

Альтернативные обозначения от Powerex/Mitsubishi:

• PM150DSA120 (аналог с похожими параметрами)
• CM150DU-12NF (от Mitsubishi Electric, схожие характеристики)
• PP15012HSN5A (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF150R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120
• Semikron: SKM150GB12T4

Примечания

• Для корректной замены следует учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики.
• Перед установкой рекомендуется проверять распиновку, так как у разных производителей она может отличаться.

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или рекомендации по теплоотводу), уточните запрос.