Pp15012hIgbt Pp15012hsn5A

Описание и технические характеристики IGBT-модуля PP15012H / PP15012HSN5A

Общее описание

Модуль PP15012H / PP15012HSN5A – это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, сварочных аппаратов и других силовых электронных устройств. Модуль имеет высокую надежность, низкие потери проводимости и переключения, а также встроенный обратный диод.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 150 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Встроенный диод (FRD) | Есть (Fast Recovery Diode) | | Макс. рабочая температура (T_j) | 150°C | | Корпус | Изолированный (с изолирующей подложкой) |

Парт-номера и совместимые модели

Модуль PP15012H может иметь несколько вариантов маркировки и аналогов от других производителей:

Парт-номера:

• PP15012H (базовая версия)
• PP15012HSN5A (возможна модификация с улучшенными параметрами)
• CM150DY-12H (аналог от Mitsubishi)
• FZ1500R12KF4 (аналог от Infineon)
• MBN1500H12T1 (аналог от Fuji Electric)

Совместимые модели (аналоги по характеристикам):

• SKM150GB12T4 (Semikron)
• MG150Q1US41 (Toshiba)
• BSM150GB120DLC (ABB)

Модуль PP15012H часто используется в инверторных источниках питания, частотных преобразователях и промышленных инверторах. При замене аналогами важно учитывать схему подключения, параметры напряжения и тока, а также тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные данные (например, графики зависимости тока от температуры), уточните – помогу найти.