PP20012HSNIGBT

Описание IGBT-модуля PP20012HSN

PP20012HSN – это высоковольтный IGBT-модуль, предназначенный для использования в мощных инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую эффективность, низкие потери при переключении и надежную конструкцию, что делает его применимым в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики:

• Тип: IGBT-модуль с NPT-технологией (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): до 200 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~600 Вт (с радиатором)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~2.1 В (при 100 А)
• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~200 нс
• Температура хранения/эксплуатации: -40°C до +150°C
• Корпус: модуль с изолированным основанием (например, 62mm стандарт)
• Схема включения: Half-bridge или Dual IGBT

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
• Mitsubishi: CM200DY-12NF, CM200DU-12NF
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Semikron: SKM200GB12T4
• IXYS: IXGH20N120B3

Совместимые модели (зависит от схемы включения):

• Для инверторов: FSBB20CH120 (ON Semiconductor)
• Для приводов: PM200CLA120 (Mitsubishi)
• Для сварочных аппаратов: IRG4PH40UD (International Rectifier) – с учетом пониженного тока

Примечания:

1. Охлаждение: Требуется радиатор с эффективным отводом тепла.
2. Защита: Рекомендуется использовать снабберные цепи для снижения перенапряжений.
3. Совместимость: При замене проверяйте распиновку и параметры драйвера управления.

Если вам нужна точная замена, уточните тип корпуса и схему включения (например, Half-bridge, Six-pack). Некоторые аналоги могут иметь отличия в характеристиках (например, ток при высоких температурах).