Toshiba TMM41256-12

Toshiba TMM41256-12 - 256K (32K x 8) Статическое ОЗУ (SRAM)

Общее описание: TMM41256-12 — это статическое оперативное запоминающее устройство (SRAM) емкостью 256 килобит, организованное как 32 768 слов по 8 бит. Микросхема произведена по КМОП (CMOS) технологии, что обеспечивает низкое энергопотребление. Индекс "-12" в названии обозначает время доступа 120 нс, что характеризует быстродействие памяти. Это классическая микросхема, широко использовавшаяся в компьютерной технике, промышленных контроллерах, телекоммуникационном и измерительном оборудовании в 1980-х — начале 1990-х годов.

Ключевые технические характеристики:

1. Организация: 32,768 x 8 бит.
2. Технология: CMOS.
3. Скорость (время доступа): 120 нс (макс.).
4. Напряжение питания: Одно напряжение +5В (±10%).
5. Потребляемый ток:
   • Активный (рабочий): 80 мА (макс.) при 120 нс.
   • В режиме ожидания (Standby): 10 мА (макс.) при CMOS уровнях.
   • В спящем режиме (TTL Standby): 30 мА (макс.).
6. Тип корпуса: Стандартный 28-контактный DIP (Dual In-line Package), также мог поставляться в других типах (SOJ, TSOP).
7. Управление: Полностью статическая работа — не требует регенерации (refresh).
8. Трехсостоятельные выходы: Позволяют подключать микросхему к общей шине данных.
9. Логические уровни: Совместимы как с TTL, так и с CMOS.
10. Температурный диапазон: Коммерческий (0°C до +70°C) или промышленный (-40°C до +85°C) в зависимости от маркировки.

Распиновка (28-pin DIP):

• Контакты A0-A14: Адресные входы (15 линий для выбора 2^15=32768 ячеек).
• Контакты I/O1-I/O8: Двунаправленные линии данных (8 бит).
• Контакты /CE (Chip Enable): Выбор микросхемы (активный низкий уровень).
• Контакты /OE (Output Enable): Разрешение выхода (чтение, активный низкий).
• Контакты /WE (Write Enable): Разрешение записи (активный низкий).
• Контакты Vcc (+5V) и GND: Питание и земля.

Прямые аналоги и парт-номера (совместимые замены):

Микросхемы с идентичной распиновкой, организацией и аналогичным быстродействием от других производителей. Совместимы при замене "один к одному".

• Hitachi: HM62256LP-12, HM62256ALP-12
• Samsung: KM62256AP-12, KM62256BP-12
• Cypress: CY7C199-12, CY62256-12
• Sony: CXK58257AM-12 (часто с аналогичной распиновкой)
• µPD (NEC): µPD43256B-12
• ISSI: IS61C256AH-12
• Alliance Memory: AS6C256-12
• Многие другие: Производители часто использовали общую нумерацию 62256 (где "62" — часто признак SRAM, "256" — емкость в Кбит). Поэтому поиск по ключевому слову "62256-12" или "32Kx8 SRAM 120ns" наиболее эффективен.

Важные замечания по совместимости:

1. Скорость: Можно заменять на более быстрые версии (например, -10 для 100 нс), но не на более медленные. TMM41256-15 (150 нс) будет медленнее.
2. Напряжение питания: Существуют аналоги с напряжением 3.3В (например, низковольтные версии). Они не являются прямой заменой без модификации схемы питания.
3. Корпус: Необходимо учитывать тип корпуса (DIP, SOIC, TSOP) для монтажа.
4. Производитель: Указанные выше аналоги функционально и электрически совместимы.

Области применения (исторические и современные):

• Кэш-память в старых ПК (например, на материнских платах 286/386).
• Оперативная память в промышленных компьютерах, контроллерах ЧПУ, измерительных приборах.
• Буферная память в сетевом оборудовании и принтерах.
• Ремонт и ретро-компьютинг: Для восстановления работоспособности классической техники (например, компьютеров Amiga, Atari ST, старых игровых автоматов).
• Образовательные и хобби-проекты на базе микроконтроллеров (часто в DIP-корпусах для удобства макетирования).

Где искать сегодня: Микросхема считается устаревшей (obsolete), но ее и аналоги можно найти у поставщиков электронных компонентов, специализирующихся на устаревшей элементной базе, на аукционах (eBay) или у радиолюбителей.