IGBT 10NEB063T10

IGBT 10NEB063T10 – Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT 10NEB063T10 – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT) в корпусе TO-263-3 (D²PAK), предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и системах управления двигателями.

Ключевые особенности:

• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокое быстродействие и низкие коммутационные потери
• Встроенный антипараллельный диод (FRD)
• Высокая стойкость к перегрузкам

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с FRD | | Корпус | TO-263-3 (D²PAK) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 10 А (непрерывный) | | Пиковый ток (I_CM) | 20 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.7 В (при 10 А, 25°C) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 48 Вт (при 25°C) | | Время включения (t_on) | ~25 нс (типовое) | | Время выключения (t_off) | ~105 нс (типовое) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_θJC) | 2.08 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 600 В, 14 А, TO-247)
• FGH40N60SMD (Fairchild, 600 В, 40 А, TO-247) – более мощный аналог
• STGW40H60DF (STMicroelectronics, 600 В, 40 А, TO-247)
• IXGH40N60B3D1 (IXYS, 600 В, 40 А, TO-247)

Прямые аналоги в том же корпусе (TO-263-3):

• IRGB4062DPBF (Infineon, 600 В, 24 А)
• FGH40N60SFD (Fairchild, 600 В, 40 А)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Системы управления двигателями
• Сварочные инверторы

Если требуется более мощная замена, рекомендуется выбирать модели в корпусе TO-247 с аналогичными параметрами по напряжению и току.