IGBT 12NAB065V1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 12NAB065V1
Описание IGBT 12NAB065V1
IGBT 12NAB065V1 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.
Этот модуль обладает высокой эффективностью, низкими коммутационными потерями и устойчивостью к перегрузкам, что делает его пригодным для промышленного применения.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 650 В | | Макс. ток коллектора (IC) при 25°C | 12 А | | Макс. импульсный ток (ICM) | 24 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~100 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при IC = 12 А) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Встроенный диод | Нет (обычно используется внешний обратный диод) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: IKW12N65H5 (аналог по характеристикам)
- STMicroelectronics: STGW12NC65V
- Fairchild/ON Semiconductor: FGH12N65SFD
- Toshiba: GT12N65A
- Mitsubishi: CM12DY-12A
Совместимые модули в схемах:
- IRG4PH50UD (если допустимы параметры 600 В вместо 650 В)
- HGTG12N65A3D (аналог от ON Semiconductor)
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы и источники бесперебойного питания (ИБП)
- Системы управления двигателями
- Сварочные аппараты
- Промышленные контроллеры
Если требуется точная замена, рекомендуется сверять datasheet и условия работы в конкретной схеме.