IGBT 12W2T415M7

Описание IGBT 12W2T415M7

IGBT 12W2T415M7 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах с высокими коммутационными нагрузками.

Этот IGBT имеет низкие потери проводимости и высокую скорость переключения, что делает его подходящим для высокочастотных преобразователей и импульсных источников питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 15 A | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 8 A | | Пиковый ток (I_CM) | 30 A | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 15 A) | | Мощность рассеяния (P_tot) | 120 Вт | | Время включения (t_on) | 25 нс | | Время выключения (t_off) | 110 нс | | Корпус | TO-247 (3-контактный) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полное совпадение характеристик):

• Infineon: IKW15N120H3
• Fuji Electric: 2MBI15U4B-120
• STMicroelectronics: STGW15NC120HD

Частично совместимые модели (аналоги с близкими параметрами):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Mitsubishi: CM150DY-12H
• Toshiba: GT20J101

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Если вам нужна более точная информация по конкретному аналогу, уточните условия работы (частота переключения, нагрузка, система охлаждения).