IGBT 131/12E

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 131/12E
Описание IGBT 131/12E
IGBT 131/12E — это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочные аппараты и системы управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |---------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT (с возможностью диода обратного хода) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (IC) | 131 А | | Макс. импульсный ток (ICM) | 262 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | до 300 Вт (зависит от охлаждения) | | Напряжение затвор-эмиттер (VGE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)) | ~2.0 В (при номинальном токе) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff) | ~150 нс | | Корпус | Стандартный модульный (например, 62мм или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |
Парт-номера и аналоги
Оригинальные парт-номера:
- Infineon: IKW75N120T2 (возможный аналог)
- Fuji Electric: 2MBI200XBE120-50
- Mitsubishi: CM300DY-12NF
Совместимые модели:
- SEMIKRON: SKM150GB12T4
- IXYS: IXGH75N120B3
- STMicroelectronics: STGW75HF120S
Применение
- Преобразователи частоты
- Системы управления двигателями
- Сварочные инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Солнечные инверторы
Если вам нужна точная спецификация для конкретного производителя, уточните бренд модуля (Infineon, Mitsubishi и т. д.), так как параметры могут незначительно отличаться.
Нужна дополнительная информация? Готов помочь!