IGBT 145GAL123D

Описание IGBT 145GAL123D

IGBT 145GAL123D – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных преобразователей энергии, инверторов и импульсных источников питания. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей термостабильностью, что делает его пригодным для промышленных и силовых электронных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|-----------------------------------| | Тип прибора | IGBT модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение V_CES | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 145 А (при 25°C) | | Макс. ток (I_CM) | 290 А (импульсный) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~500 Вт (с охлаждением) | | Падение напряжения V_CE(sat) | ~1,8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Рабочая температура | -40°C … +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием | | Тип монтажа | винтовой/зажимной | | Вес | ~150–200 г |

Парт-номера и альтернативные обозначения

Производитель: Infineon Technologies (или другой, уточните)
Аналоги и замены:

• FZ145R12KE3 (Infineon)
• CM145DY-12H (Mitsubishi)
• MG12100H-BF1 (Hitachi)
• SKM145GB123D (SEMIKRON)

Совместимые модели и применение

Модуль может использоваться в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Электроприводах
• ИБП (источниках бесперебойного питания)

Совместимые серии:

• Infineon EconoPACK™
• Mitsubishi CM-серия
• SEMIKRON SKM

Примечание

Уточните производителя для точных характеристик, так как модуль может выпускаться под разными маркировками. Рекомендуется проверять datasheet перед заменой.

Если нужны дополнительные параметры (емкость затвора, динамические характеристики), укажите – предоставлю детали.