IGBT 1DI200ZN120

Описание IGBT-модуля 1DI200ZN120

1DI200ZN120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высоковольтных и высокотемпературных применений. Модуль оснащен встроенным диодом обратного хода (антипараллельным диодом) и оптимизирован для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (DUAL) | | Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 1200 Вт (с радиатором) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~90 нс | | Время выключения (t_off) | ~400 нс | | Температура хранения | от -40°C до +150°C | | Рабочая температура | от -40°C до +125°C (корпус) | | Корпус | 62 мм (полумодуль) | | Вес | ~200 г | | Изоляция | 2500 В (между базой и радиатором) |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера Infineon (прямые аналоги):

• 1DI200U120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 1DI200H120 (высокотемпературная версия)

Совместимые модели других производителей:

• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI200VN-120
• Mitsubishi Electric: CM200DY-12NFH
• Hitachi: MBN200C120

Аналоги с близкими параметрами:

• IXYS: IXGN200N120B3
• STMicroelectronics: STGW200NC120HD

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Тяговые преобразователи

Примечание

Перед заменой модуля рекомендуется проверять распиновку и условия охлаждения, так как разные производители могут иметь отличия в конструкции корпуса.

Если нужна дополнительная информация по подключению или аналогам, уточните детали!