IGBT 1DI200ZN-120

Описание IGBT модуля 1DI200ZN-120

1DI200ZN-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления электродвигателями. Модуль сочетает высокую переключательную способность, низкие потери и надежную конструкцию, что делает его пригодным для промышленного применения, включая ЧПУ, сварочное оборудование и системы возобновляемой энергии.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (полумост) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 100 А (при 100°C) |
| Пиковый ток (I_CP) | 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 1000 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2.5 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50 нс / 200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | модуль с изолированным основанием |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные номера (Infineon / EUPEC):

• 1DI200ZN-120 (полное обозначение)
• 1DI200ZN-120R (версия с обратной полярностью)

Совместимые / аналогичные модели:

• Infineon: FF200R12KT4, FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24S
• Fuji: 2MBI200N-120
• Semikron: SKM200GB12T4

Кросс-производители (аналоги по параметрам):

• IXYS: IXGN200N120B3
• STMicroelectronics: STGW200NC120HD

Примечание

При замене модуля на аналог важно учитывать:

• Распиновку и конструкцию корпуса.
• Параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.
• Наличие встроенного диода (если требуется).

Для точной замены рекомендуется сверяться с даташитами производителей.