IGBT 1MBI50L060

IGBT 1MBI50L060
Артикул: 294700

IGBT 1MBI50L060 — силовой полупроводниковый компонент для ремонта и обслуживания промышленной электроники. Перед заказом сверьте обозначение 1MBI50L060, корпус, распиновку и электрические параметры с оригинальной деталью.

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT 1MBI50L060

Описание IGBT модуля 1MBI50L-060

1MBI50L-060 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для управления высокими токами и напряжениями в силовой электронике. Модуль выполнен по технологии NPT IGBT (Non-Punch Through), что обеспечивает высокую надежность, низкие потери проводимости и переключения.

Основные области применения:

  • Преобразователи частоты (ЧРП, инверторы)
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Промышленные приводы
  • Сварочные аппараты
  • Системы управления электродвигателями

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (IC) | 50 А | | Пиковый ток коллектора (ICM) | 100 А | | Макс. мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (ton) | 0,15 мкс (тип.) | | Время выключения (toff) | 0,35 мкс (тип.) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Рабочая температура (Tj) | -40 °C ... +150 °C | | Тип корпуса | 6-выводной модуль (изолированный) | | Встроенный диод | Да (FRD — Fast Recovery Diode) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

  • 1MBI50L-120 (аналог на 1200 В)
  • 1MBI50U4H-060 (более современная версия)
  • 1MBI50UD-060 (с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели других производителей:

  • Infineon: FF50R06RT4 (50A, 600V)
  • Fuji Electric: 2MBI50L-060
  • SEMIKRON: SKM50GB063D

Альтернативные варианты (зависит от схемотехники):

  • STMicroelectronics: STGW50H60DF (50A, 600V)
  • ON Semiconductor: FGH50T65SQD

Примечания

  • Перед заменой рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
  • Для замены на аналогичный модуль с другим напряжением (например, 1200 В) необходимо учитывать изменение динамических потерь.

Если вам нужна более подробная информация по конкретному аналогу или схеме замены, уточните условия применения.

Дополнительная информация

IGBT 1MBI50L060 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — 1MBI50L060. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #1MBI50L060 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов

Товары из этой же категории