IGBT 202GB066HDS

Описание IGBT модуля 202GB066HDS

202GB066HDS – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным диодом, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и источниках питания.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с обратным диодом (NPT) | | Макс. напряжение | 600 V (VCES) | | Макс. ток коллектора | 200 A (при 25°C) | | Макс. импульсный ток | 400 A (кратковременно) | | Падение напряжения | 1.85 V (VCE(sat) при 100 A) | | Мощность рассеивания | 500 W (при 25°C) | | Темп. перехода | -40°C до +150°C | | Корпус | 6-контактный, изолированный | | Тип крепления | Винтовое (SCREW) | | Вес | ~100 г |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера

• Infineon: FF200R06KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24H
• Fuji Electric: 2MBI200U6A-060
• SEMIKRON: SKM200GB066D

Аналогичные модули

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• STMicroelectronics: STGW40H60DF
• ON Semiconductor: NGTB40N60FL2WG

Применение

• Промышленные приводы
• Сварочные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Электромобили и зарядные станции

Модуль 202GB066HDS обеспечивает высокую эффективность и надежность в силовой электронике благодаря низким потерям и хорошей теплопередаче.

Если нужна дополнительная информация (например, схемы подключения или datasheet), уточните!