IGBT 202GB12E4S

Описание IGBT модуля 202GB12E4S

Производитель: Infineon Technologies (или другой, в зависимости от фактического бренда)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (второго поколения или уточненной серии)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C) / до ~100–150 А (при повышенных температурах)
• Ток импульсный (I_CM): 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~600–800 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): ~1.8–2.5 В (при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~50–100 нс

Параметры встроенного диода:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 200 А

Тепловые характеристики:

• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0.12–0.15 °C/Вт

Механические параметры:

• Корпус: модуль с изолированной базой (например, SEMiX или аналогичный)
• Монтаж: винтовое крепление на радиатор

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Infineon:
   • FF200R12KE3
   • FZ200R12KE3
2. Mitsubishi:
   • CM200DY-12S
3. Fuji Electric:
   • 2MBI200U4A-120
4. SEMIKRON:
   • SKM200GB12T4

Cross-reference:

• По напряжению и току: Модули 1200V/200A с аналогичным корпусом (например, серии SEMiX, EconoPACK).
• По функционалу: Модули с такими же характеристиками, но возможно другие производители (например, IXYS, Hitachi).

Примечания:

• Перед заменой уточняйте распиновку и механические габариты.
• Рекомендуется проверять datasheet конкретного производителя для точных параметров.
• Для высоконагруженных систем важно учитывать условия охлаждения.

Если у вас есть дополнительные данные (например, производитель или фото маркировки), можно уточнить информацию.