IGBT 2DI100Z-100E

Описание IGBT-модуля 2DI100Z-100E

2DI100Z-100E — это высоковольтный IGBT-модуль с двумя транзисторами (Dual IGBT) и обратными диодами, предназначенный для мощных преобразователей энергии, частотных приводов и инверторов. Модуль обладает высокой перегрузочной способностью, низкими коммутационными потерями и эффективной системой охлаждения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Производитель | EUPEC (Infineon Technologies) | | Тип модуля | Dual IGBT (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В | | Номинальный ток (I_C) | 100 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Мощность (P_tot) | ~400 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.0 В (тип.) | | Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50 нс / 200 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 К/Вт | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C | | Корпус | модуль с изолированным основанием |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: 2DI100D-100, FF100R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI100V-100
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Парт-номер производителя:

• EUPEC/Infineon: 2DI100Z-100E

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи

Модуль требует качественного охлаждения и правильного монтажа на радиатор с термопастой для обеспечения долговечности.

Если нужна дополнительная информация (например, схемы подключения или графики характеристик), уточните запрос!