IGBT 2DI150MA120

Описание IGBT 2DI150MA120

IGBT 2DI150MA120 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных преобразовательных устройств, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и промышленные системы управления электроприводами. Модуль отличается высокой эффективностью, низкими потерями и надежностью в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (2 в 1: 2 IGBT + 2 диода) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 150 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 75°C) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 K/W |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Вес | ~150 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• 2DI150MA120 (Infineon)
• 2DI150MA120R (версия с обратной полярностью)

Совместимые модели от других производителей:

• CM150DY-24H (Mitsubishi)
• FF150R12KE3 (Infineon)
• MG150Q1US41 (Toshiba)
• FZ150R12KE3 (Infineon, альтернативная серия)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.