IGBT 2MBI100NB-120

Описание IGBT модуля 2MBI100NB-120

2MBI100NB-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании FUJI Electric, предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, источники бесперебойного питания (ИБП) и сварочное оборудование.

Модуль имеет встроенный диод обратного восстановления (FRD) и рассчитан на высокие токи и напряжения, обеспечивая эффективное управление мощностью в силовых электронных схемах.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип модуля: IGBT с диодом (2 в 1)
• Конфигурация: Один полумост (Half-Bridge)
• Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C @25°C): 100 А
• Импульсный ток (I_CP): 200 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 400 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): 0,3 мкс / 1,0 мкс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,25 °C/Вт
• Рабочая температура: -40°C до +150°C
• Корпус: 2-pack (изолированный)
• Монтаж: Винтовое крепление

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 100 А
• Время восстановления (t_rr): 150 нс

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

1. Infineon: FF100R12KE3
2. Mitsubishi (Renesas): CM100DY-12S
3. SEMIKRON: SKM100GB12T4
4. ON Semiconductor: NGTB100N120FL3WG

Совместимые модели FUJI Electric:

• 2MBI100NB-060 (600 В)
• 2MBI100NB-170 (1700 В)
• 2MBI150NB-120 (150 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Электроприводы
• Сварочные аппараты
• ИБП и солнечные инверторы

Если требуется более точная замена, необходимо учитывать параметры схемы и условия эксплуатации.