IGBT 2MBI100S120

Описание IGBT модуля 2MBI100S120

2MBI100S120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления двигателями. Модуль выполнен по технологии NPT (Non-Punch Through) и имеет встроенный антипараллельный диод, что обеспечивает высокую надежность и эффективность в коммутационных цепях.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------------|--------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 200 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 300 нс | | Температура эксплуатации | -40°C ... +150°C | | Корпус | 2MBI (изолированный, с винтовыми клеммами) | | Вес | ~120 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги от Mitsubishi:

• 2MBI100U4A-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI100S120-50 (модификация с другим теплоотводом)
• CM100DY-24S (более старый аналог)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon FF100R12KT3
• Fuji Electric 2MBI100VA-120
• Semikron SKM100GB12T4
• ON Semiconductor NXH100B120H3Q1

Применение

• Преобразователи частоты
• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Особенности

• Высокая стойкость к перегрузкам
• Встроенный температурный датчик (не во всех модификациях)
• Низкие потери при коммутации

Если нужна более детальная информация (структура выводов, графики характеристик), уточните запрос.