IGBT 2MBI150NC060

Описание IGBT-модуля 2MBI150NC060

2MBI150NC060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с обратными диодами (FRD), объединённые в полумостовую (Half-Bridge) топологию.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) |
| Макс. напряжение | 600 В (V_CES) |
| Номинальный ток | 150 А (I_C при 25°C) |
| Импульсный ток | 300 А |
| Мощность потерь | ~200 Вт (при 25°C) |
| Напряжение насыщения | 1.8 В (V_CE(sat)) |
| Время переключения | t_on = 60 нс, t_off = 140 нс |
| Тепловое сопротивление | R_th(j-c) = 0.12 °C/Вт |
| Корпус | 2MBI (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI150N-060 (устаревшая версия)
• 2MBI150U4C-060 (аналог с улучшенными характеристиками)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R06KE3 (аналогичные параметры, но другой корпус)
• Fuji Electric: 2MBI150N-060 (полный аналог)
• SEMIKRON: SKM150GB066D (схожие характеристики)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП и солнечные инверторы

Примечание

При замене модуля на аналог необходимо учитывать разводку контактов, тепловые характеристики и параметры драйвера управления.

Если вам нужна дополнительная информация по заменам или специфическим применениям, уточните детали!