IGBT 2MBI150U4H120-50

Описание IGBT-модуля 2MBI150U4H120-50

Модуль IGBT 2MBI150U4H120-50 производства Mitsubishi Electric представляет собой двухключевой (Dual) IGBT-транзистор с интегрированным обратным диодом (FRD). Предназначен для использования в силовых электронных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | 2-канальный (Dual) IGBT + FRD | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Ном. ток коллектора IC | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток IC (пик)| 300 А | | Рассеиваемая мощность | до 800 Вт (с теплоотводом) | | Падение напряжения VCE(sat) | 2,1 В (при 75 А, 25°C) | | Время включения (ton) | 110 нс | | Время выключения (toff)| 420 нс | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C (Tj max) | | Корпус | 6-контактный, изолированный | | Тепловое сопротивление | 0,14 °C/Вт (Rth(j-c)) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера Mitsubishi:

• 2MBI150U4H-120 (упрощенная маркировка)
• 2MBI150U4H120-50 (полная маркировка)

Аналоги и совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF300R12KE3 (300A, 1200V, Dual)
• Fuji Electric: 2MBI150U4H-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• IXYS: IXGN150N120B3

Применение и особенности

• Высокая перегрузочная способность
• Встроенные температурные датчики (NTC) в некоторых версиях
• Оптимизирован для работы на высоких частотах
• Требует качественного охлаждения (радиатор + термопаста)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet и конфигурацию контактов, так как аналоги могут иметь отличия в характеристиках и разводке.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!