IGBT 2MBI150UM-120-50

Описание IGBT-модуля 2MBI150UM-120-50

Модуль IGBT 2MBI150UM-120-50 производства Mitsubishi Electric представляет собой высоковольтный силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные особенности:

• Двухканальная структура (2-in-1) – содержит два IGBT-транзистора с обратными диодами.
• Низкие потери проводимости и переключения.
• Высокая надежность и термостабильность.
• Оптимизированная конструкция корпуса для эффективного теплоотвода.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|-------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 500 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,1 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 0,3 мкс / 1,2 мкс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,15 °C/Вт |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Корпус | Стандартный модуль (изолированный основанием) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Mitsubishi Electric:

• 2MBI150U2A-120 (аналог с близкими параметрами)
• 2MBI150U4A-120 (альтернативная версия с улучшенными характеристиками)
• CM150DU-12NF (от Powerex, совместим по характеристикам)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4 (схожий модуль 1200V/150A)
• Fuji Electric: 2MBI150U2A-120 (полный аналог)
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Применение

Модуль 2MBI150UM-120-50 применяется в:

• Промышленных частотных преобразователях
• Сварочных инверторах
• Управлении электродвигателями
• ИБП и системах энергосбережения

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим и механическим параметрам.