IGBT 2MBI200LB060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI200LB060
Описание IGBT-модуля 2MBI200LB060
2MBI200LB060 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Fuji Electric, предназначенный для использования в силовых электронных устройствах, таких как:
- Частотные преобразователи
- Инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Промышленные приводы
- Системы управления электродвигателями
Модуль имеет встроенный диод обратного хода (FRD) и рассчитан на работу в условиях высоких напряжений и токов.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение (VCES) | 600 В | | Номинальный ток (IC) | 200 А (при 25°C) | | Импульсный ток (ICM) | 400 А | | Мощность рассеяния (PC) | ~300 Вт (в зависимости от условий) | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время переключения (ton/toff) | ~100 нс / 400 нс (типовые) | | Температура работы | -40°C ... +150°C (корпус) | | Корпус | 2MBI (изолированный, с винтовыми клеммами) | | Вес | ~100 г |
Встроенный диод (FRD)
- Макс. обратное напряжение (VRRM): 600 В
- Ток диода (IF): 200 А
- Прямое падение напряжения (VF): ~1.7 В
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (Fuji Electric)
- 2MBI200LB060-50 (другая ревизия)
- 2MBI200LB060-XX (разные версии)
Аналоги от других производителей
- Infineon: FF200R06KE3
- Mitsubishi: CM200DY-24A
- SEMIKRON: SKM200GB066D
- ON Semiconductor: NVGD200H060T3
Совместимые модули (с похожими параметрами)
- 2MBI100LB060 (100 А, 600 В)
- 2MBI300LB060 (300 А, 600 В)
- 2MBI200LB120 (200 А, 1200 В)
Применение и особенности
- Подходит для инверторов и преобразователей частоты мощностью до 30-50 кВт.
- Имеет изолированное основание для удобного монтажа на радиатор.
- Рекомендуется использовать с термопастой и прижимными пластинами для улучшения теплоотвода.
Если вам нужна более точная информация (графики, даташит), уточните – помогу найти документацию!