IGBT 2MBI200U4H120-50

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI200U4H120-50

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, если указано иное)
Тип модуля: IGBT-модуль с диодом обратного хода (DUAL)
Назначение: Преобразование энергии в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и др.

Основные технические характеристики

1. Электрические параметры

• Максимальное коллектор-эмиттерное напряжение (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CP): 400 А
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~1,8–2,5 В (зависит от тока)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): ~1000 Вт (зависит от охлаждения)
• Встроенный диод обратного хода: Да (FRD)
  • Максимальное обратное напряжение диода (V_RRM): 1200 В
  • Ток диода (I_F): 200 А

2. Динамические параметры

• Время включения (t_on): ~50–100 нс
• Время выключения (t_off): ~200–300 нс
• Рабочая частота: до 20–30 кГц

3. Тепловые параметры

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,12–0,15 °C/Вт
• Крепление: Винтовое, требует теплоотвода

4. Механические параметры

• Корпус: Стандартный модуль (например, 62 мм × 108 мм × 30 мм)
• Вес: ~200–300 г
• Тип изоляции: Гальваническая изоляция базы

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Fuji Electric: 2MBI200U4H-120
• IXYS (Littelfuse): MIXA200PH1200TA

Совместимые модели в линейке Mitsubishi (если применимо):

• 2MBI200U4H-120 (аналогичный, возможно, с небольшими отличиями)
• 2MBI200U4H-50 (модификация с другим охлаждением)
• 2MBI200U4H-060 (600 В версия)

Применение

• Промышленные инверторы
• Электроприводы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговая электротранспортная техника

Если вам нужны более точные данные (например, графики зависимости тока от температуры), стоит обратиться к официальному даташиту производителя.