IGBT 2MBI25F-120

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI25F-120

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если уточнено)
Тип: Двухканальный IGBT-модуль с диодом обратного хода (Dual IGBT + Diode)
Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
Ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
Ток импульсный (I_CP): 50 А
Мощность рассеивания (P_tot): В зависимости от условий охлаждения
Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~1,8 В (типовое при номинальном токе)
Время включения/выключения (t_on/t_off): Наносекундный диапазон (точное значение зависит от условий работы)
Температурный диапазон: -40°C до +150°C (корпус)
Корпус: Стандартный модульный (например, 2 in 1)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi Electric:
  • 2MBI25N-120
  • CM25DY-12H
• Infineon:
  • FF25R12YT3
  • FF25R12KE3
• Fuji Electric:
  • 2MBI25F-120 (аналогичный код)
• SEMIKRON:
  • SKM25GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• Любые IGBT модули с V_CES 1200 В и током 25–30 А в аналогичном корпусе.

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Управление двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные системы управления

Если требуется уточнение по конкретному производителю или дополнительным параметрам, укажите – помогу найти точные данные!

IGBT 2MBI25F-120 предназначен для замены и ремонта силовых электронных узлов. Точное обозначение компонента — 2MBI25F-120. Для правильного подбора необходимо сверить полную маркировку, тип корпуса, схему выводов, допустимые ток и напряжение, а также параметры управления с документацией оборудования и оригинальным компонентом. При сомнениях отправьте специалисту магазина фото маркировки и платы.

#IGBT #IGBTМодуль #2MBI25F120 #СиловаяЭлектроника #Полупроводники #ЭлектронныеКомпоненты #РемонтЭлектроники #ПромышленнаяЭлектроника #Комплектующие #ПодборКомпонентов