IGBT 2MBI75N-120

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2MBI75N-120
Описание IGBT модуля 2MBI75N-120
2MBI75N-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Fuji Electric, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях.
Основные особенности:
- Высокая мощность – подходит для промышленных и энергетических систем.
- Низкие потери проводимости и переключения – высокая энергоэффективность.
- Встроенный свободный диод (FRD) – обеспечивает обратный ток защиты.
- Изолированный корпус – упрощает монтаж и охлаждение.
- Надежность – устойчивость к перегрузкам и высоким температурам.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-----------------|--------------|
| Тип модуля | IGBT с диодом (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 75 А (при 25°C) |
| Пиковый ток (ICM) | 150 А |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | ~2.1 В (при 75 А) |
| Время включения (ton) | ~50 нс |
| Время выключения (toff) | ~300 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C … +150°C |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.25 °C/Вт |
| Корпус | 2-pack (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги от Fuji Electric:
- 2MBI75N-120-50 (уточненная версия)
- 2MBI75U4H-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
Совместимые модели от других производителей:
- Infineon: FF75R12KT4
- Mitsubishi: CM75DY-12H
- Semikron: SKM75GB12T4
- Hitachi: 2MBI75L-120
Совместимые замены (с проверкой распиновки):
- IXYS: IXGH75N120
- Toshiba: MG75Q2YS40
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Управление электродвигателями
- Солнечные инверторы
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие электрическим и механическим параметрам.