IGBT 2MBI75S120-03

Описание и технические характеристики IGBT модуля 2MBI75S120-03

Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric также выпускает аналогичные модули)
Тип: Двухканальный IGBT-модуль (DUAL) с обратными диодами
Назначение: Используется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

Электрические параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Ток коллектора (I_C): 150 А (пиковый)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~1,8 В (типовое)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 300 Вт
• Встроенные диоды: Быстровосстанавливающиеся FRD (Free Wheeling Diode)

Тепловые параметры:

• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): ~0,25 °C/Вт

Геометрические и монтажные параметры:

• Корпус: Стандартный 2-in-1 модуль
• Монтаж: Винтовое соединение (термопаста + радиатор)
• Габариты: ~62 × 108 × 17 мм (зависит от производителя)

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги от Fuji Electric:

• 2MBI75S120-05 (обновленная версия)
• 2MBI75S120-50 (альтернативная серия)

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• CM75DY-12H
• CM75DY-24H (с повышенным напряжением)

Аналоги от Infineon:

• FF75R12KE3
• FF75R12KT3

Аналоги от SEMIKRON:

• SKM75GB12T4
• SKM75GB12V

Примечания:

• При замене модуля необходимо учитывать не только электрические параметры, но и конструкцию корпуса.
• Рекомендуется проверять datasheet на конкретную модель для уточнения характеристик.

Если нужны дополнительные параметры (временные характеристики, графики, схемы подключения), уточните!