IGBT P549A09

Описание IGBT P549A09

IGBT P549A09 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе преимущества MOSFET (высокое быстродействие) и биполярных транзисторов (низкие потери в открытом состоянии).

Основные области применения:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные приводы
• Сварочное оборудование

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | N-канальный IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В (макс.) |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В (макс.) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 или аналогичный |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW50H65DFB (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• P549A08 (аналог с V_CES = 800 В)
• P549A10 (аналог с V_CES = 1000 В)
• HGTG50N60B3 (от Renesas)

Примечание по замене

При замене IGBT P549A09 на аналог необходимо учитывать:

• Напряжение V_CES (должно быть не ниже исходного)
• Ток коллектора (I_C) и рассеиваемую мощность
• Скорость переключения и параметры драйвера затвора

Если у вас есть дополнительные требования (например, корпусные аналоги или аналоги с улучшенными параметрами), уточните детали.