IGBT 2SC0535T2G0-33

Описание IGBT 2SC0535T2G0-33

IGBT 2SC0535T2G0-33 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и инверторных применений. Он отличается высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам. Модуль предназначен для использования в промышленных преобразователях частоты, системах управления электродвигателями, сварочных инверторах и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Infineon (возможен другой бренд, уточните datasheet) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ≈ 2,1 В (при 75 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Корпус | TO-247 или модульный (уточнить по datasheet) |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Время включения (t_on) | ≈ 60 нс |
| Время выключения (t_off) | ≈ 200 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW75N120T2, IKW75N120H3
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• STMicroelectronics: STGW75HF60WD

Совместимые модули (в зависимости от схемы):

• Полумостовые модули: 2SC0435T2G0-17, 2SC0106T2G0-17
• Трехфазные инверторы: 6MBP50RA120, FS75R12KE3

Примечание

Рекомендуется проверять datasheet производителя, так как характеристики могут отличаться в зависимости от серии и модификации. Для точного подбора аналога учитывайте параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.

Если нужны дополнительные данные (например, параметры драйвера или графики зависимостей), уточните запрос.