IGBT 2SD106AI

Описание IGBT 2SD106AI

2SD106AI – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для применения в силовой электронике. Он сочетает в себе высокую скорость переключения MOSFET и низкие потери проводимости биполярного транзистора.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C при 25°C) | 15 А |
| Ток коллектора (I_C при 100°C) | 10 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 75 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при I_C = 15 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 1,25 °C/Вт |
| Корпус | TO-220F (изолированный) |

Аналоги и парт-номера

Прямые аналоги (замены с такими же параметрами):

• IRG4PC50U (IR, 600V, 23A)
• HGTG15N60A4D (ON Semiconductor, 600V, 15A)
• STGW15NC60WD (STMicroelectronics, 600V, 15A)

Совместимые модели (схожие параметры, возможна замена):

• FGA15N60 (Fairchild, 600V, 15A)
• KGF15N60 (KEC, 600V, 15A)
• IXGH15N60 (IXYS, 600V, 15A)

Применение

• Инверторы и драйверы двигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Индукционные нагреватели
• Сварочные аппараты

Если вам нужна более точная замена, уточните схему и условия работы.