IGBT 304GB12VS

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 304GB12VS
Описание IGBT модуля 304GB12VS
304GB12VS — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным антипараллельным диодом, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, частотных приводов, инверторов и других силовых электронных устройств.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Производитель | Mitsubishi Electric (возможен другой бренд, уточните) |
| Тип модуля | IGBT + диод (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 300 А (при 25°C) |
| Макс. импульсный ток (ICM) | 600 А |
| Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~1000 Вт (зависит от условий охлаждения) |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | ~1,8 В (при номинальном токе) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | ~100 нс / ~500 нс |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,12 °C/Вт |
| Корпус | Изолированный, модульный (например, 62 мм) |
| Температура эксплуатации | -40°C … +150°C (зависит от производителя) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF300R12KE3
- SEMIKRON: SKM300GB12T4
- Fuji Electric: 2MBI300V-120-50
- Hitachi: CM300DY-12NF
Совместимые модели в линейке (если Mitsubishi):
- CM300DY-12NF (устаревший аналог)
- PM300DSA120 (для некоторых применений)
Если вам нужны точные данные для конкретного производителя, уточните бренд, так как номер 304GB12VS может относиться к разным компаниям.
Нужна дополнительная информация? Готов помочь!