IGBT 30MT12KB

Описание IGBT 30MT12KB

IGBT 30MT12KB — это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных преобразователей, инверторов и других приложений, где требуется высокое напряжение и ток. Этот компонент имеет низкие потери проводимости и переключения, что делает его подходящим для промышленного и автомобильного применения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,4 В (при 15 А) |
| Энергия потерь при включении (E_on) | 0,9 мДж |
| Энергия потерь при выключении (E_off) | 0,7 мДж |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | 0,75 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• 30MT12KB (оригинал от STMicroelectronics)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• IXGH30N120B3 (IXYS)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3 (Microsemi)

Совместимые модули (если используется в сборках):

• SKM30GB12T4 (SEMIKRON)
• FF30R12RT4 (Infineon)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания
• Промышленные преобразователи частоты

Если требуется точная замена, рекомендуется сверять даташиты, так как электрические параметры могут незначительно отличаться.