IGBT 30NAB12T10

Описание IGBT-модуля 30NAB12T10

30NAB12T10 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 30 А и напряжением 1200 В. Модуль выполнен в стандартном корпусе NA (аналогичном серии SEMiX от Semikron) и предназначен для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 30 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Макс. напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.85 В (при I_C = 30 А) |
| Время включения (t_on) | ~55 нс |
| Время выключения (t_off) | ~320 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Корпус | NA (SEMiX-like) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены (проверьте распиновку и характеристики перед заменой):

• SEMiX 30NAB12T10 (оригинал Semikron)
• SKM30GB12T10 (Semikron, возможно сходство)
• FF30R12YT3 (Infineon, требует проверки)
• MG30100F1 (Littelfuse, аналог с близкими параметрами)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Перед заменой рекомендуется сверять даташиты и конфигурацию выводов!